[实用新型]一种工艺腔体有效
| 申请号： | 201920706790.3 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN209947803U | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 沈雪;王传中;刘庆超;柯汎宗;黄志凯;叶日铨 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 31295 上海思捷知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 内层体 壁段 承载段 替换体 轨道段 本实用新型 体壁 替换 承载 外围 工艺腔体 互换位置 数量相等 影响生产 承载物 晶圆 污染 清洁 移动 | ||
1.一种工艺腔体，其特征在于，包括：
内层体壁，由所述内层体壁均分而成的内层体壁段；
由承载所述内层体壁的承载物均分而成的承载段，所述内层体壁段的数量和所述承载段的数量相等；
在所述内层体壁外围设置的至少一个替换体壁段，所述替换体壁段与所述内层体壁段的形状及大小相同；
承载并移动所述替换体壁段的轨道段；
所述承载段和所述轨道段形状和大小相同，所述承载段和所述轨道段能互换位置。
2.如权利要求1所述的工艺腔体，其特征在于，所述工艺腔体底部设有移动块，所述移动块带动各所述承载段和各所述轨道段围绕所述工艺腔体旋转移动或沿所述工艺腔体中心径向移动。
3.如权利要求2所述的工艺腔体，其特征在于，所述移动块与任一所述承载段或任一所述轨道段为整体结构。
4.如权利要求2所述的工艺腔体，其特征在于，所述轨道段为至少一层设置，所述轨道段的数量低于所述承载段的数量，以预留所述承载段的活动位置。
5.如权利要求4所述的工艺腔体，其特征在于，所述替换体壁段的数量为小于或等于所述内层体壁段数量的一半，且所述替换体壁段的数量等于所述轨道段的数量。
6.如权利要求5所述的工艺腔体，其特征在于，所述工艺腔体还包括至少一个喷嘴，所述喷嘴设置于所述轨道段的上方。
7.如权利要求6所述的工艺腔体，其特征在于，所述喷嘴的数量等于所述替换体壁段的数量。
8.如权利要求1所述的工艺腔体，其特征在于，所述工艺腔体内还包括一吸盘以及至少三根支撑杆，三根所述支撑杆成三角设置于所述吸盘内，能在所述吸盘内上升下降。
9.如权利要求1所述的工艺腔体，其特征在于，所述工艺腔体还包括一排水管和一排气管，所述排水管设置于所述工艺腔体的底部。
10.如权利要求1所述的工艺腔体，其特征在于，在所述轨道段外还设置有一层包裹层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
