[实用新型]晶片抛光系统

说明书

本实用新型公开了一种晶片抛光系统，包括：旋转盘，旋转盘内形成换热空间，换热空间具有循环水入口和循环水出口，旋转盘上表面设有抛光垫；承载装置，承载装置可旋转地设在旋转盘旋转轴的一侧且位于旋转盘的上方，承载装置上安装有晶片，晶片朝向旋转盘上表面设置；温度检测装置，温度检测装置设在旋转盘的上方；温度补偿装置，温度补偿装置设在旋转盘的上方；控制装置，控制装置与温度检测装置、承载装置和温度补偿装置相连，控制装置基于温度检测装置的显示调节承载装置的压力和/或温度补偿装置的功率，以保持抛光垫的温度恒定。采用该系统可以有效保持抛光过程中环境温度恒定，从而提高所得晶片的品位。

技术领域

本实用新型属于单晶硅技术领域，具体涉及一种晶片抛光系统。

背景技术

化学机械抛光(CMP)是晶片表面加工的关键技术之一，温度是影响抛光质量的一个重要因素，主要为抛光机台的环境温度及抛光温度。因抛光机台都处于无尘车间，环境温度都是恒定不变，所以抛光温度是关键。由于抛光机台的旋转盘上下表面存在温度差异，导致热膨胀差异，进而导致旋转盘表面从旋转轴向外边缘朝向冷却表面偏转，严重影响晶片的平整度和厚度。若转盘上下表面温度梯度控制在一定小范围内，则温度差异引起的热弯曲就是可控制的。

现有技术中通常采用向旋转盘供给冷却水的方式来保持旋转盘下表面温度恒定。旋转盘上表面与抛光垫紧密结合，在抛光过程中抛光垫与抛光头旋转摩擦，产生的摩擦热导致抛光垫温度发生变化，引起转盘上表面温度也发生变化。因此要精确地控制抛光温度，并保持恒定，从根本上减少热膨胀差异，以达到在提高抛光效率的同时也保证抛光质量。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出一种晶片抛光系统，采用该系统可以有效保持抛光过程中抛光温度恒定，从而提高所得晶片平坦度。

在本实用新型的一个方面，本实用新型提出了一种晶片抛光系统。根据本实用新型的实施例，所述系统包括：

旋转盘，所述旋转盘内形成换热空间，所述换热空间具有循环水入口和循环水出口，并且所述旋转盘上表面设有抛光垫；

承载装置，所述承载装置可旋转地设在所述旋转盘旋转轴的一侧且位于所述旋转盘的上方，并且所述承载装置上安装有晶片，所述晶片朝向所述旋转盘上表面设置；

温度检测装置，所述温度检测装置设在所述旋转盘的上方，用于检测所述旋转盘上位于所述旋转轴的另一侧区域温度；

温度补偿装置，所述温度补偿装置设在所述旋转盘的上方，用于向所述旋转盘上位于所述旋转轴的一侧区域供给热量；

控制装置，所述控制装置与所述温度检测装置、承载装置和温度补偿装置相连，并且所述控制装置基于所述温度检测装置的显示调节所述承载装置的压力和/或所述温度补偿装置的功率，以保持抛光温度恒定。

根据本实用新型实施例的晶片抛光系统通过在旋转盘上方设置温度补偿装置，在控制装置的作用下，基于温度检测装置的显示即旋转盘上温差，调节该温度补偿装置的功率和/ 或承载装置的压力，例如基于温度检测装置的显示得知旋转盘上温度低于预定温度，可以通过增大温度补偿装置的功率为旋转盘上位于旋转轴的一侧区域供给热量，和/或增大承载装置的压力来提高温度晶片与抛光垫之间的摩擦热，从而维持抛光温度的恒定，并且该温度调节方式可以瞬时调节，进而保证抛光后所得晶片具有较高的平坦度。

另外，根据本实用新型上述实施例的晶片抛光系统还可以具有如下附加的技术特征：

任选的，所述循环水入口设有调节阀，所述调节阀与所述控制装置相连，基于所述温度检测装置的显示调节所述调节阀的开度。由此，可以保证所得晶片具有较高的平坦度。