[实用新型]用于承载芯片的软质线路基板有效
申请号: | 201920682560.8 | 申请日: | 2019-05-13 |
公开(公告)号: | CN209515608U | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 魏兆璟;庞规浩 | 申请(专利权)人: | 颀邦科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/485 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 梁丽超 |
地址: | 中国台湾新竹市新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 锡层 防焊层 导电铜层 软质线路 覆盖 防焊油墨 顶层 基板 承载 芯片 本实用新型 绝缘基材 配线图案 镀锡槽 浸泡 | ||
本实用新型提供一种用于承载芯片的软质线路基板,包含:具有配线图案的一导电铜层,位于一绝缘基材上;一第一锡层,位于该导电铜层上方;一第二锡层,位于该第一锡层上方;一第一防焊层,覆盖未被该第一锡层及该第二锡层覆盖的该导电铜层,且该第一防焊层部分地覆盖该第二锡层;及一第二防焊层,部分地覆盖该第二锡层及至少部分地覆盖该第一防焊层。本实用新型的软质线路基板使得在最后锡层完成后涂布顶层防焊油墨,以免顶层防焊油墨浸泡在镀锡槽中。
技术领域
本实用新型涉及软质线路基板,特别涉及可承载半导体芯片的软质线路基板。
背景技术
承载芯片用的软质线路基板多为滚动条状薄膜。在业界软质线路基板与芯片的结合依不同装配模式有各种称呼,例如TCP(Tape Carrier Package卷带式载体封装)或COF(Chip On Film薄膜覆晶封装)。TCP及COF都是运用软质线路基板作为封装芯片的载体,通过热压合将芯片上的金凸块(Gold Bμmp)与位在软性基板电路上的铜配线图案的内引脚(Inner Lead)接合。
为了使软性基板电路与芯片的金凸块连接,必须要有金锡共晶物的存在,其中金由芯片的金凸块提供,锡就由形成在内引脚表面的锡供应,因此,内引脚的表面镀有锡层。除了内引脚外,铜配线图案还有外引脚等与其他电子组件连接的导电端子,这些端子通常也有镀锡层。铜配线图案上非引脚区会另以防焊油墨覆盖来加以保护。
现有的软性基板电路易产生以下问题,其一为镀锡层表面形成晶须,导致相邻线路短路;其二为防焊油墨及镀锡层的界面产生凹洞,导致线路断裂。专利文献1(日本专利JP3061613)揭示的方案是在铜配线图案上先全面地形成薄镀锡层(a),然后于配线图案的非引脚区涂布防焊油墨,之后再于引脚区形成厚镀锡层(b)。专利文献1认为铜配线图案全面形成的薄镀锡层(a)可防止凹洞产生,厚镀锡层(b)可防止产生晶须。专利文献2(台湾专利TW531864)揭示另一种方法,是依序形成第一防焊油墨于非引脚区、形成薄镀锡层于引脚区、再形成第二防焊油墨覆盖第一防焊油墨及薄锡层的交界处、及最后形成厚镀锡层在薄锡层上。
实用新型内容
本申请明人经研究后发现上述现有技术在实际操作上仍存在许多问题。举例而言,专利文献1于铜配线图案全面形成的薄镀锡层,此对需要弯折的产品是不利的,因为镀锡层的硬度通常偏高。此外,不论是专利文献1或专利文献2皆指示在最后涂布防焊油墨之后形成厚镀锡层,因此顶层的防焊油墨仍会浸泡在镀锡槽中一段时间,特别是镀厚锡的时间又较长,这使得顶层防焊油墨与厚镀锡层的界面产生凹洞的机会增加。此外,专利文献2有两次施加防焊油墨后才进锡槽的制程,造成清洗被防焊油墨污染锡槽的高成本。又,专利文献2所指示两次防焊油墨两次镀锡交错实施制程,其实际操作上易混淆,造成生产动线安排的困扰。
有鉴于上述,一方面,本实用新型提出一种新颖的软质线路基板的制造方法,无需两次防焊油墨两次镀锡交错实施制程。同时,本实用新型也在最后锡层完成后涂布顶层防焊油墨,以免顶层防焊油墨浸泡在镀锡槽中。
优选另一方面本实用新型还包含通过上述的各种方法所形成的软质线路基板的各种结构。
依据一实施例,本实用新型提供一种用于承载芯片的软质线路基板,包含:
具有配线图案的一导电铜层,位于一绝缘基材上;一第一锡层,位于该导电铜层上方;一第二锡层,位于该第一锡层上方;一第一防焊层,覆盖未被该第一锡层及该第二锡层覆盖的该导电铜层,且该第一防焊层部分地覆盖该第二锡层;及一第二防焊层,部分地覆盖该第二锡层及至少部分地覆盖该第一防焊层。
依据一实施例,本实用新型提供如前述的软质线路基板,该第一防焊层具有一第一边缘接触该第二锡层。
依据一实施例,本实用新型提供如前述的软质线路基板,该第一锡层具有一第一纵向界面接触该导电铜层,该第一防焊层具有一第一边缘接触该第二锡层,该第一纵向界面与该第一边缘的横向距离大于该第一锡层的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造