[实用新型]一种半导体高温扩散炉管有效
| 申请号： | 201920680913.0 | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN210110717U | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 黄辉成 | 申请（专利权）人： | 上海欧勋机电工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/22 |
| 代理公司： | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 | 代理人： | 冯华 |
| 地址： | 201315 上海市崇明区长兴镇潘园公*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 高温 扩散 炉管 | ||
1.一种半导体高温扩散炉管，其结构包括底透气孔(1)、侧护箱(2)、隔护箱(3)、防护炉管口(4)、处理槽(5)、防护边框(6)、固定透气孔(7)、底箱(8)、侧操作箱(9)，其特征在于：
所述底透气孔(1)贯穿于侧操作箱(9)内部，所述侧操作箱(9)位于侧护箱(2)下方，所述侧护箱(2)与隔护箱(3)相连接，所述、防护炉管口(4)贯穿于隔护箱(3)内部，所述防护炉管口(4)位于处理槽(5)内槽，所述防护边框(6)焊接于隔护箱(3)外表面，所述固定透气孔(7)贯穿于隔护箱(3)内部，所述底箱(8)顶端安装有隔护箱(3)，所述底箱(8)设于处理槽(5)下方，所述防护边框(6)通过隔护箱(3)与固定透气孔(7)相连接。
2.根据权利要求1所述的一种半导体高温扩散炉管，其特征在于：所述防护炉管口(4)包括回旋挡块(411)、内空槽(422)、芯体(433)、热气膨口(444)、旋出口(455)、内兜槽(466)、凸起卡块(477)，所述回旋挡块(411)贯穿于旋出口(455)内部且活动连接，所述芯体(433)嵌入于内空槽(422)内部且位于同一轴心上。
3.根据权利要求2所述的一种半导体高温扩散炉管，其特征在于：所述热气膨口(444)与内兜槽(466)相互贯通，所述内兜槽(466)通过热气膨口(444)与内空槽(422)相连接，所述凸起卡块(477)位于内兜槽(466)外表面，所述内兜槽(466)设于侧护箱(2)内部。
4.根据权利要求2所述的一种半导体高温扩散炉管，其特征在于：所述回旋挡块(411)包括兜气口(411a)、弧气道(411b)、卡扣钩(411c)、顺滑层(411d)、实心块(411e)，所述兜气口(411a)嵌入于实心块(411e)内部，所述实心块(411e)与顺滑层(411d)相连接，所述兜气口(411a)与弧气道(411b)相互贯通。
5.根据权利要求4所述的一种半导体高温扩散炉管，其特征在于：所述卡扣钩(411c)焊接于顺滑层(411d)外表面，所述顺滑层(411d)通过实心块(411e)与兜气口(411a)相连接，所述弧气道(411b)抵在实心块(411e)外表面，所述卡扣钩(411c)通过顺滑层(411d)与兜气口(411a)相连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
