[实用新型]基于NMOS管的车载电源管理电路及车辆低功耗系统

说明书

本实用新型公开了一种基于NMOS管的车载电源管理电路及车辆低功耗系统，电路包括：第二NMOS管；与第二NMOS管的源极连接的第三电容；与第二NMOS管的栅极连接的第二电容；第一NMOS管，第一NMOS管的漏极与第二NMOS管的栅极连接；第二肖特基二极管，第二肖特基二极管的负极与第二NMOS管的栅极连接；第一肖特基二极管，第一肖特基二极管的正极作为输入端A；第一电容，第一电容的一端与第二肖特基二极管的正极连接，另一端作为输入端B。本实用新型，可间歇开关单片机I/O控制信号，以降低平均功耗，可应用于常见低功耗系统，负载开关控制，车载终端，电池异常监控等。

技术领域

本实用新型涉及车载电源管理电路领域，具体涉及一种基于NMOS管的车载电源管理电路及车辆低功耗系统。

背景技术

各行业的发展的过程中，低电压系统而言，常见的如功耗、成本问题。如目前所在行业车载终端，低功耗便是各厂商关注的重点，低功耗模式下通过MCU(MicrocontrollerUnit，微控制单元)关闭无线模块、音频IC、CAN (Controller Area Network，控制器局域网络)等芯片供电，传统的方案是采用PMOS控制电源开关，单片机控制PWR CTR(PWR为电源控制，CTR 为开关控制用)脚为低开通MOS管，这种情况下在电阻端会消耗部分电流，并且同功率条件下，PMOS(是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管)价格是NMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor，为N型金属- 氧化物-半导体)的二到三倍。

申请公布号为CN 102222899A(申请号为201110169245.3)的中国发明专利申请公开了一种车载电源保护电路，包括电阻、二极管、PMOS管、三极管、电容和双路电感，电压正常时，电流经PMOS管的源极到达漏极，经过双路电感和二极管，为后级电路供电；当遇到快速小能量的电压冲击时，会瞬间被TVS二极管吸收；当遇到能量很大、冲击时间较长的干扰时，电路会自动将电阻切入回路中，从而通过电阻限制后级的电流，达到保护的目的，该技术方案在电阻端会消耗部分电流，并且同功率条件下，PMOS管的成本较高。

实用新型内容

本实用新型提供了一种基于NMOS管的车载电源管理电路及车辆低功耗系统，可间歇开关单片机I/O控制信号，以降低平均功耗。

一种基于NMOS管的车载电源管理电路，包括

第二NMOS管；

与所述第二NMOS管的源极S连接的第三电容；

与所述第二NMOS管的栅极G连接的第二电容(储能电容)；

第一NMOS管，所述的第一NMOS管的漏极D与所述第二NMOS管的栅极G连接；

第二肖特基二极管，所述的第二肖特基二极管的负极与所述第二NMOS 管的栅极G连接；

第一肖特基二极管，所述的第一肖特基二极管的负极与所述第二肖特基二极管的正极连接，所述的第一肖特基二极管的正极作为输入端A；

第一电容(即电压自举电容)，所述的第一电容(即电压自举电容)的一端与所述第二肖特基二极管的正极连接，另一端作为输入端B。

以下作为本实用新型的优选技术方案：

所述的第二NMOS管的漏极D接入电源VCC。

所述的第三电容的一端与所述第二NMOS管的源极S连接，所述的第三电容的另一端接地。

所述的第二电容(储能电容)的一端与所述第二NMOS管的栅极G连接，另一端与所述第一NMOS管的源极S连接后接地。

所述的第一NMOS管的栅极G作为输入端C。