[实用新型]一种晶圆升降装置有效
申请号: | 201920630000.8 | 申请日: | 2019-05-05 |
公开(公告)号: | CN209658152U | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 翁林 | 申请(专利权)人: | 无锡宇邦半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 11411 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄冠华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 214000 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 工艺腔体 托环 轴杆 伺服马达 波纹管 滑块 本实用新型 工艺腔 下端面 丝杆 支架 顶针 晶圆升降装置 抗过载能力 垂直连接 滑动连接 螺旋连接 密封处理 驱动结构 升降装置 外侧设置 小型汽缸 支架侧面 侧面 上端 电机轴 上端面 体内部 外侧面 穿出 种晶 升降 体内 替代 | ||
本实用新型提供了一种晶圆升降装置,包括工艺腔体,工艺腔体内设置有托环,托环的上端面设置有若干顶针,托环的下端面垂直连接有轴杆,轴杆由工艺腔体的底部穿出,轴杆在工艺腔体内部的部分外侧设置有波纹管,波纹管顶部与托环连接且密封处理,波纹管底部与工艺腔体连接;工艺腔体下端面设置有支架,支架侧面下部设置有伺服马达,伺服马达的电机轴上端连接有丝杆,丝杆上螺旋连接有滑块,滑块的外侧面与支架的侧面滑动连接,滑块的内侧面与轴杆固定连接。本实用新型提供的晶圆升降装置,使用伺服马达驱动结构来替代小型汽缸结构,升降精度高,运行平稳,抗过载能力强。
技术领域
本实用新型涉及一种机械装置,尤其涉及一种实现工艺腔内晶圆上下升降的装置。
背景技术
半导体200mm晶圆厂,其主流单晶圆工艺腔体中,晶圆的上升下降基本都是由顶针运动来带动完成的。由于顶针结构简单,分量轻,所以一般采用小型汽缸来驱动。小型汽缸具有结构简单,阻尼小,空间占用小等优点,可以运用在小负载,快速运动的场合,缺点是抗过载能力差。虽然顶针结构也同属于小负载,但是晶圆的上下运动要求要缓慢平顺,在大气环境中,腔体内外压力相等,通过调节汽缸泄气阀的气量大小,可以比较容易的达到要求。然而在真空环境中,由于腔体内外压差大,汽缸向上运动和向下运动相差一个大气压差的压力,加上本身阻尼小,就造成向上运动时初始阶段会变得很突兀(抗过载能力差),很难通过调节泄气阀气量大小来控制,这样晶圆就有几率被顶偏,造成之后的各种问题。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是克服现有的缺陷,提供一种晶圆升降装置,运行平稳,抗过载能力强。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了如下的技术方案:
一种晶圆升降装置,包括工艺腔体,所述工艺腔体内设置有托环,所述托环的上端面设置有若干顶针,所述托环的下端面垂直连接有轴杆,所述轴杆由所述工艺腔体的底部穿出,所述轴杆在所述工艺腔体内部的部分外侧设置有波纹管,所述波纹管顶部与所述托环连接且密封处理,所述波纹管底部与所述工艺腔体连接;所述工艺腔体下端面设置有支架,所述支架侧面下部设置有伺服马达,所述伺服马达的电机轴上端连接有丝杆,所述丝杆上螺旋连接有滑块,所述滑块的外侧面与所述支架的侧面滑动连接,所述滑块的内侧面与所述轴杆固定连接。
进一步地,所述支架的侧面在所述滑块的上方和下方分别设置有位置感应器,所述位置感应器连接有控制器,所述控制器与所述伺服马达连接。
进一步地,所述支架的侧面在所述滑块的上方和下方分别设置有限位块。
本实用新型一种晶圆升降装置,使用伺服马达驱动结构来替代小型汽缸结构,升降精度高,运行平稳,抗过载能力强。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。在附图中:
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
如图1所示,一种晶圆升降装置,包括工艺腔体1,工艺腔体1内设置有托环2,托环2的上端面设置有若干顶针3,托环2的下端面垂直连接有轴杆4,轴杆4由工艺腔体1的底部穿出,轴杆4在工艺腔体1内部的部分外侧设置有波纹管5,波纹管5顶部与托环2连接且密封处理,波纹管5底部与工艺腔体1连接;工艺腔体1下端面设置有支架6,支架6侧面下部设置有伺服马达7,伺服马达7的电机轴上端连接有丝杆8,丝杆8上螺旋连接有滑块9,滑块9的外侧面与支架6的侧面滑动连接,滑块9的内侧面与轴杆4固定连接。
工作原理:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造