[实用新型]一种用于碳化硅外延的隔热罩装置

说明书

本实用新型主要应用于半导件外延生长设备，具体涉及一种用于碳化硅外延的隔热罩装置。包括相互套设的内筒与外筒；内筒与外筒之间形成空腔；内筒内设有石墨基座，石墨基座外部套设有石墨毡；外筒外部设有若干感应加热器，感应加热器与石墨基座相连；外筒外部一端底侧与顶侧对开多对开孔，底侧的开孔内设有进水口，顶侧的开口内设有出水口；空腔内下部设有进水分流道，上部设有出水分流道；进水分流道与出水分流道的一端分别通过进水管与出水管连接进水口与出水口，另一端由封板封住；进水分流道与出水分流道均对称设有三路，分流道壁上设有通孔，两侧的分流道上的通孔为单排孔，中间的分流道为对称分布的双排小孔。本实用新型结构简单，设计合理，实现难度不大，维护方便。

技术领域

本实用新型主要应用于半导件外延生长设备，具体涉及一种用于碳化硅外延的隔热罩装置。

背景技术

半导体外延片需要在一定高温下的反应腔室内才能生长，通常硅片外延生长在1000℃-1300℃，碳化硅片外延生长在1550℃-1750℃左右，高温下既要保证反应腔内的温度保持高温，又要保证外壁保持低温。

目前市场上设计的外延炉的主流加热方式分为两种：一种是辐射加热，通过Lamp对衬底表面进行加热；一种是感应加热，通过热传导的方式从背面开始对衬底进行加热，这两种加热方式都有各自的优缺点。其中Lamp加热方式，由于加热源比较集中，对周围的热影响会比较小，可以通过气冷的方式进行降温。而感应加热它以置于线圈内的石墨件自身作为热源，当迅速变化的电流流过石墨件时，便产生集肤效应，它使电流集中于石墨件表层，在石墨件表层上产生一个选择性很高的热源，这种加热到1500℃-1750℃左右的石墨件对周围的热影响很大，然而1750℃又正好是石英材质的熔点，是通过气冷的冷却方式不能够快速得到降温的。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是，克服现有技术中的不足，提供一种用于碳化硅外延的隔热罩装置。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的解决方案是：

提供一种用于碳化硅外延的隔热罩装置,包括相互套设的内筒与外筒；内筒与外筒之间形成空腔；

内筒内设有石墨基座，石墨基座外部套设有石墨毡；

外筒外部设有若干感应加热器，感应加热器与石墨基座相连；外筒外部一端底侧与顶侧对开多对开孔，底侧的开孔内设有进水口，顶侧的开口内设有出水口；空腔内下部设有进水分流道，上部设有出水分流道；进水分流道与出水分流道的一端分别通过进水管与出水管连接进水口与出水口，另一端由封板封住；

进水分流道与出水分流道均对称设有三路，分流道壁上设有通孔，两侧的分流道上的通孔为单排孔，中间的分流道为对称分布的双排小孔。

作为一种改进，内筒是圆形或椭圆形的直筒。

作为一种改进，外筒为圆形或椭圆形，两端有圆弧过渡的内翻边，内翻边形成的圆形或椭圆形形状与内筒外径相吻合。

作为一种改进，进水管外壁设有台阶。便于卡紧水管接头，一头是斜面，斜面与分流道的斜面吻合，使进水管内流道与分流道内流道联通，进水管一头在外筒内侧一头在外筒外侧。

作为一种改进，出水管外壁设有台阶。便于卡紧水管接头，一头是斜面，斜面与分流道的斜面吻合，使出水管内流道与分流道内流道联通，出水管一头在外筒内侧一头在外筒外侧。

作为一种改进，分流道是直管或螺旋状管件，孔呈直线或螺旋分布。孔在装置中的布置成一定夹角，孔的孔口近可能靠近分流道与内、外筒壁接触线，因为管状的分流道外壁与内外筒的接触是一条线，线投影为一点，画两个分流道和内、外筒形成的圆的切线成一夹角，这一夹角的位置冷却时的水流是静止的，对装置的隔热效果有一定影响，所以孔的位置近可能靠近接触线，尽可能让死水流起来。

作为一种改进，上述部件间通过高温熔融焊接。