[实用新型]酸腐蚀去除硅晶圆表面损伤的治具

说明书

本实用新型涉及半导体加工治具技术领域，具体为酸腐蚀去除硅晶圆表面损伤的治具，包括工作台，工作台的表面开设有放置槽，放置槽的内部放置有硅晶圆，工作台的表面设置有支撑架，支撑架的表面连接有升降杆，升降杆的表面设置有连接杆，连接杆的底部设置有手环，且升降杆的底面开设有转动槽，转动槽的内部设置有连接块，连接块固定在转动架的顶面上，转动架的内部设置有储液仓，且转动架的底部设置有擦拭棉，工作台的内部设置有废液仓；有益效果为：本实用新型提出的酸腐蚀去除硅晶圆表面损伤的治具借助可旋转和伸缩的转动架配合擦拭棉对硅晶圆表面损伤擦拭修复，操作简单便捷，且修复效率高。

技术领域

本实用新型涉及半导体加工治具相关技术领域，具体为酸腐蚀去除硅晶圆表面损伤的治具。

背景技术

硅晶圆便是硅元素加以纯化(99.999％)，接着是将这些纯硅制成长硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆；

现有技术中，硅晶圆的表面在加工过程中易出现损伤，传统的方式采用酸性液体对其表面擦拭，消除损伤，但实际操作时，工人一手拿持硅晶圆，另一只手拿持工具对硅晶圆擦拭，易导致硅晶圆破裂，且擦拭效率低；且随着硅晶圆滴漏下的酸性液体不便于回收。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供酸腐蚀去除硅晶圆表面损伤的治具，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：酸腐蚀去除硅晶圆表面损伤的治具，包括工作台，所述工作台的表面开设有放置槽，所述放置槽的内部放置有硅晶圆，工作台的表面设置有支撑架，所述支撑架的表面连接有升降杆，所述升降杆的表面设置有连接杆，所述连接杆的底部设置有手环，且升降杆的底面开设有转动槽，所述转动槽的内部设置有连接块，所述连接块固定在转动架的顶面上，所述转动架的内部设置有储液仓，且转动架的底部设置有擦拭棉，工作台的内部设置有废液仓，所述废液仓与放置槽之间开设有漏液孔。

优选的，所述支撑架包括立杆和顶板，立杆固定在顶板和工作台之间，且立杆设置有四个，四个立杆分别分布在工作台的四个角落处。

优选的，所述升降杆包括套筒和导向杆，导向杆固定在顶板的底面上，且导向杆的另一端插接在套筒内部，导向杆与套筒之间设置有拉伸弹簧，连接杆呈“L”形杆状结构，连接杆固定在套管的外壁上，手环呈圆环结构。

优选的，所述转动槽和连接块均呈“T”字形圆形柱体结构，转动槽对连接块进行限位，转动架呈“T”字形柱体结构，转动架的底面开设有放置槽，放置槽与储液仓之间开设有输液孔，擦拭棉处于放置槽的内部，转动架的表面开设有注液口，注液口的内部插接有塞头，且转动架的表面固定有把手，且转动架的表面嵌入安装有滚珠。

优选的，所述废液仓的底面倾斜设置，工作台的表面设置有排液管，废液仓的底面在排液管一侧高度低。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1.本实用新型提出的酸腐蚀去除硅晶圆表面损伤的治具借助可旋转和伸缩的转动架配合擦拭棉对硅晶圆表面损伤擦拭修复，操作简单便捷，且修复效率高；

2.本实用新型提出的酸腐蚀去除硅晶圆表面损伤的治具在放置槽下部设置废液仓，废液仓与放置槽之间开设漏液孔，便于对使用后的酸性液体回收，并通过输液管集中排入处理设备中。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为图1中A处结构放大示意图。

图中：工作台1、放置槽2、硅晶圆3、支撑架4、升降杆5、连接杆6、手环7、转动槽8、连接块9、转动架10、储液仓11、擦拭棉12、废液仓13。

具体实施方式