[实用新型]酸腐蚀去除硅晶圆表面损伤的治具有效
| 申请号: | 201920599838.5 | 申请日: | 2019-04-29 |
| 公开(公告)号: | CN209571393U | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
| 发明(设计)人: | 王刚 | 申请(专利权)人: | 深圳市港祥辉电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市福田区上海林*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 硅晶圆表面 转动架 工作台 治具 内部设置 升降杆 酸腐蚀 损伤 去除 本实用新型 表面设置 擦拭棉 放置槽 连接杆 支撑架 转动槽 半导体加工 表面开设 表面连接 修复效率 储液仓 废液仓 硅晶圆 可旋转 伸缩 底面 手环 擦拭 修复 配合 | ||
1.酸腐蚀去除硅晶圆表面损伤的治具,包括工作台(1),其特征在于:所述工作台(1)的表面开设有放置槽(2),所述放置槽(2)的内部放置有硅晶圆(3),工作台(1)的表面设置有支撑架(4),所述支撑架(4)的表面连接有升降杆(5),所述升降杆(5)的表面设置有连接杆(6),所述连接杆(6)的底部设置有手环(7),且升降杆(5)的底面开设有转动槽(8),所述转动槽(8)的内部设置有连接块(9),所述连接块(9)固定在转动架(10)的顶面上,所述转动架(10)的内部设置有储液仓(11),且转动架(10)的底部设置有擦拭棉(12),工作台(1)的内部设置有废液仓(13),所述废液仓(13)与放置槽(2)之间开设有漏液孔。
2.根据权利要求1所述的酸腐蚀去除硅晶圆表面损伤的治具,其特征在于:所述支撑架(4)包括立杆和顶板,立杆固定在顶板和工作台(1)之间,且立杆设置有四个,四个立杆分别分布在工作台(1)的四个角落处。
3.根据权利要求1所述的酸腐蚀去除硅晶圆表面损伤的治具,其特征在于:所述升降杆(5)包括套筒和导向杆,导向杆固定在顶板的底面上,且导向杆的另一端插接在套筒内部,导向杆与套筒之间设置有拉伸弹簧,连接杆(6)呈“L”形杆状结构,连接杆(6)固定在套管的外壁上,手环(7)呈圆环结构。
4.根据权利要求1所述的酸腐蚀去除硅晶圆表面损伤的治具,其特征在于:所述转动槽(8)和连接块(9)均呈“T”字形圆形柱体结构,转动槽(8)对连接块(9)进行限位,转动架(10)呈“T”字形柱体结构,转动架(10)的底面开设有放置槽,放置槽与储液仓(11)之间开设有输液孔,擦拭棉(12)处于放置槽的内部,转动架(10)的表面开设有注液口,注液口的内部插接有塞头,且转动架(10)的表面固定有把手,且转动架(10)的表面嵌入安装有滚珠。
5.根据权利要求1所述的酸腐蚀去除硅晶圆表面损伤的治具,其特征在于:所述废液仓(13)的底面倾斜设置,工作台(1)的表面设置有排液管,废液仓(13)的底面在排液管一侧高度低。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





