[实用新型]一种基于电压控制的应用于EA电路的UVLO保护电路有效

专利信息
申请号: 201920556838.7 申请日: 2019-04-22
公开(公告)号: CN210111590U 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: 方建平;李红艳;张适 申请(专利权)人: 西安拓尔微电子有限责任公司
主分类号: H02H3/24 分类号: H02H3/24
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 金凤
地址: 710000 陕西省西安市高新*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 电压 控制 应用于 ea 电路 uvlo 保护
【说明书】:

本实用新型提供了一种基于电压控制的应用于EA电路的UVLO保护电路,通过判断EA输出对中基准电压到电源电压的差值来决定是否要开启后续电路,当输入电压达到UVLO阈值电压时,控制电路使输出端开启,整个电路输出正常;当输入电压没有达到UVLO阈值电压时,控制电路使输出端关断,整个电路没有输出,电路停止工作,达到保护其他电路模块的目的。本实用新型电路设计简单,有效避免环路在启动过程中过冲问题和掉电过程的回勾问题,相比传统UVLO电路不需要设计比较器和电阻,大大减小芯片的占用面积,节约成本,并且自身工作时功耗很低,电路工作稳定。

技术领域

发明涉及集成电路领域,尤其是一种UVLO保护电路。

背景技术

随着集成电路行业的快速发展,各种各样的电子产品都需要对其电源进行有效控制,电源管理芯片就起到非常关键的作用,其中低压差线性稳压器(Low DropoutRegulator,LDO)是应用最为广泛的电源管理芯片之一。为了使LDO能够正常稳定的工作,在电路中一般都加入欠压锁定(Under Voltage Lock Out,UVLO)电路来保护整个电路,确保当输入电压低于最小工作电压时电路依旧处于关断状态。

传统的UVLO电路通常都是通过比较器比较电源电压的分压与基准电压,来判断电源是否处于欠压状态来决定是否开启后续电路,达到保护电路的目的。但这种电路存在很大的弊端问题,必须要有分压电阻和比较器,增大了芯片的设计面积。

发明内容

为了克服现有技术的不足,本发明提供一种基于电压控制的应用于EA电路的UVLO保护电路,主要用于保护EA电路的正常工作,本发明提供一种基于电压控制的应用于误差放大器(error amplifier,EA)环路的UVLO保护电路,通过判断EA输出对中基准电压到电源电压的差值来决定是否要开启后续电路,当输入电压达到UVLO阈值电压时,控制电路使输出端开启,整个电路输出正常;当输入电压没有达到UVLO阈值电压时,控制电路使输出端关断,整个电路没有输出,电路停止工作,达到保护其他电路模块的目的。这种方法不仅电路设计简单,而且对环路启动掉电时做到精确控制,并根据EA电路所需最低的工作电源电压而建立UVLO功能,对于LDO电路以及其他需要UVLO电路的模块都具有很好的保护能力。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:

一种基于电压控制的应用于EA电路的UVLO保护电路,包括P沟道增强型MOS管PM1-PM10,N沟道增强型MOS管NM1-NM8,偏置电路模块,反相器模块,VIN输入端口、VREF基准输入端口、VFB反馈电压输入端口和VOUT输出端口;

所述P沟道增强型MOS管PM1源极连接VIN输入端口,栅极漏极连接偏置电路模块、P沟道增强型MOS管PM2栅极、P沟道增强型MOS管PM3栅极和P沟道增强型MOS管PM4栅极;所述P沟道增强型MOS管PM2源极连接VIN输入端口,栅极连接偏置电路模块、P沟道增强型MOS管PM1栅极漏极、P沟道增强型MOS管PM3栅极、P沟道增强型MOS管PM4栅极,漏极连接N沟道增强型MOS管NM2的栅极漏极和N沟道增强型MOS管NM3的栅极;所述P沟道增强型MOS管PM3源极连接VIN输入端口,栅极连接偏置电路模块、P沟道增强型MOS管PM1栅极漏极、P沟道增强型MOS管PM2栅极、P沟道增强型MOS管PM4栅极,漏极连接P沟道增强型MOS管PM7源极;所述P沟道增强型MOS管PM4源极连接VIN输入端口,栅极连接偏置电路模块、P沟道增强型MOS管PM1栅极漏极、P沟道增强型MOS管PM2栅极、P沟道增强型MOS管PM3栅极,漏极连接P沟道增强型MOS管PM9和PM10源极;其中P沟道增强型MOS管PM1-PM4构成电流镜电路;

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