[实用新型]湿法清洗装置

说明书

一种湿法清洗装置，包括：清洗腔，适于放置待清洗晶圆；喷液口，适于向待清洗晶圆表面喷吐清洗溶液；混酸阀，适于将各种清洗溶液进行混合；传输管道，适于将混合后的清洗溶液传输到喷液口；温度补偿装置，用于控制传输管道中的混合溶液的温度，使传输管道中混合溶液的温度等于设定温度。本实用新型的湿法清洗装置。本实用新型的湿法清洗装置清洗溶液在到达喷液口时的温度与设定温度保持一致或相差较小，使得清洗溶液的温度满足工艺的要求，保证了工艺的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备领域，尤其涉及一种湿法清洗装置。

背景技术

半导体集成电路制作包括基础工艺：离子注入、扩散、外延生长及光刻，由于集成电路内各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外，集成电路制造步骤如高温扩散、离子注入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。干、湿法清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下，有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。

湿法清洗在现阶段的微电子清洗工艺中还占据主导地位，在半导体湿法清洗工艺中，单片晶圆清洗机的运用越来越广泛。单片式清洗模式需要对化学品的浓度和温度实现精确的控制，从而实现单晶圆工艺的稳定性，但是现有到达清洗腔中的清洗溶液的温度不准确，与设定温度存在偏差。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是怎样提高到达清洗腔中的清洗溶液温度的准确性。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种湿法清洗装置，包括：

清洗腔，适于放置待清洗晶圆；

喷液口，适于向待清洗晶圆表面喷吐清洗溶液；

混酸阀，适于将各种清洗溶液进行混合；

传输管道，适于将混合后的清洗溶液传输到喷液口；

温度补偿装置，用于控制传输管道中的混合溶液的温度，使传输管道中混合溶液的温度等于设定温度。

可选的，所述温度补偿装置包括加热器，温度传感器，控制器，所述温度传感器用于检测传输管道中混合溶液的实时温度，所述加热器用于对传输管道中的混合溶液进行加热，所述控制器用于根据实时温度与设定温度的差值控制所述加热器对传输管道进行加热，直至传输管道中的实时温度等于设定温度。

可选的，所述控制器为PID控制器。

可选的，所述加热器设置于传输管道的外侧壁上。

可选的，所述加热器包括外软管、位于外软管中的编制玻璃纤维、位于编制玻璃纤维中的加热丝。

可选的，所述温度传感器为热电偶。

可选的，所述温度补偿装置还包括螺旋混酸软管，所述螺旋混酸软管安装在加热器与混酸阀之间的传输管道中。

可选的，所述螺旋混酸软管中具有螺旋形的导流片。

可选的，还包括：药液槽循环系统，用于将预加热后的清洗溶液供应给混酸阀。

可选的，还包括：所述药液槽循环系统包括加热装置，所述加热装置适于对药液槽循环系统中的清洗溶液进行预加热，所述预加热的温度等于设定温度。

与现有技术相比，本实用新型技术方案具有以下优点：