[实用新型]一种封装式隔离电容器有效
申请号: | 201920509411.1 | 申请日: | 2019-04-15 |
公开(公告)号: | CN209747513U | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
发明(设计)人: | 于泽;吕子熏 | 申请(专利权)人: | 深圳芯启航科技有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/495;H01G4/005 |
代理公司: | 44414 深圳中一联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 蔡鹏娟<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘层 隔离电路 芯片本体 第二金属层 第一金属层 芯片 隔离电容器 封装式 封装体 引脚 电容器 集成电路技术 本实用新型 错位叠放 相对设置 电容 封装 串联 电路 | ||
本实用新型属于集成电路技术领域,提供了一种封装式隔离电容器。所述封装式隔离电容器包括:封装体、第一引脚、第二引脚以及封装在所述封装体中的第一隔离电路芯片和第二隔离电路芯片;所述第一隔离电路芯片包括第一芯片本体、第一金属层和第一绝缘层,所述第一金属层设于所述第一芯片本体和所述第一绝缘层之间;所述第二隔离电路芯片包括第二芯片本体、第二金属层和第二绝缘层,所述第二金属层设于所述第二芯片本体和所述第二绝缘层之间;所述第一绝缘层和所述第二绝缘层错位叠放,以使所述第一金属层和所述第二金属层相对设置。由此实现了只用一个电容器,无需串联,在同样的电容值要求下可以大大减少电路面积的效果。
技术领域
本实用新型属于集成电路技术领域,尤其涉及一种封装式隔离电容器。
背景技术
隔离电路用来隔离、阻断两个或数个具有各自参考地电位的电路之间的电流路径,并传送彼此电路之间的信号。在某些情况下这些电路之间的参考地电位会有高达几千伏的压差。目前一般使用三种方法来提供不同参考地电位电路之间的隔离:光电耦合隔离技术、变压器耦合隔离技术和电容耦合隔离技术。光电耦合与变压器耦合隔离技术具有耦合装置比较笨重的缺点,且不适合整合在集成电路芯片内。
电容耦合隔离技术利用隔离电容来隔离不同参考地电位电路,电容器体积小又可整合于集成电路芯片内。目前通常采用的方式是将隔离电容器集成于能收发数据的电路内,再将两个电路以串联方式来进行数据通信。但是此电容器的电容值必须足够大才能使信号的能量传送到另一边的电路而正确接收,由于电容器串联后整体电容值变小,所以单一个电容器的电容值势必需要增大才能满足整体电容值的要求,这就会增大了电路面积,从而增加电容型隔离电路的成本。
因此,现有的隔离电容技术存在着因需要满足整体电容值的要求时,导致增大电路面积,从而增加电容型隔离电路的成本的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种封装式隔离电容器,旨在解决现有的隔离电容技术存在着因需要满足整体电容值的要求时,导致增大电路面积,从而增加电容型隔离电路的成本的问题。
一种封装式隔离电容器,所述封装式隔离电容器包括:
第一隔离电路芯片、第二隔离电路芯片以及用于将所述第一隔离电路芯片和所述第二隔离电路芯片进行封装的封装体;
所述第一隔离电路芯片包括第一芯片本体、第一金属层和第一绝缘层,所述第一金属层设于所述第一芯片本体和所述第一绝缘层之间;所述第二隔离电路芯片包括第二芯片本体、第二金属层和第二绝缘层,所述第二金属层设于所述第二芯片本体和所述第二绝缘层之间;
所述第一绝缘层和所述第二绝缘层叠放,以使所述第一金属层和所述第二金属层相对设置。
在其中一个实施例中,所述第一金属层的长度小于所述第一绝缘层的长度,所述第二金属层的长度小于所述第二绝缘层的长度。
在其中一个实施例中,还包括裸露于所述封装体的外部的第一引脚和第二引脚;
所述第一引脚与所述第一隔离电路芯片电连接,所述第二引脚与所述第二隔离电路芯片电连接。
在其中一个实施例中,所述第一芯片本体的正面设有第一接点,所述第一绝缘层对应设有第一开口,所述第一接点设于所述第一开口;
所述第二芯片本体的正面设有第二接点,所述第二绝缘层对应设有第二开口,所述第二接点设于所述第二开口。
在其中一个实施例中,所述第一引脚通过接线连接所述第一接点,所述第二引脚通过焊球连接所述第二接点。
在其中一个实施例中,所述第一引脚通过接线连接所述第一接点,所述第二引脚通过金突块连接所述第二接点。
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