[实用新型]一种氯硅烷精制系统有效
| 申请号: | 201920501635.8 | 申请日: | 2019-04-12 |
| 公开(公告)号: | CN209759044U | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
| 发明(设计)人: | 袁中华;何鹏 | 申请(专利权)人: | 四川永祥多晶硅有限公司 |
| 主分类号: | C01B33/107 | 分类号: | C01B33/107 |
| 代理公司: | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王学强;罗满 |
| 地址: | 614800 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 氯硅烷 精馏塔 静置沉降 沉降分离装置 精制 冷却搅拌装置 本实用新型 精制系统 冷却结晶 塔釜液体 混合料 精馏 金属氯化物 高纯度 排渣口 塔顶 排出 去除 渣料 排放 | ||
本实用新型公开一种氯硅烷精制系统,包括精馏塔一、冷却搅拌装置、沉降分离装置和精馏塔二,精馏塔一的塔釜液体输送至冷却搅拌装置进行冷却结晶处理得到结晶混合料,结晶混合料输送至沉降分离装置进行静置沉降分离,静置沉降分离出的结晶渣料从沉降分离装置的排渣口排出,静置沉降分离出的液体再输送至精馏塔二进行精馏处理,精馏塔二的塔顶采出得到精制的氯硅烷。本实用新型所述的氯硅烷精制系统将精馏处理的塔釜液体进行冷却结晶并静置沉降分离,有效去除金属氯化物,精制得到高纯度的氯硅烷,提高氯硅烷的纯度,减少氯硅烷的排放浪费,提高氯硅烷的精制效率,降低资源耗用量,降低生产成本。
技术领域
本实用新型涉及多晶硅生产技术领域,尤其涉及一种氯硅烷精制系统。
背景技术
在半导体工业中,氯硅烷作为生产多晶硅的重要原料,原料中含有杂质,杂质主要有金属氯化物,杂质的存在会影响多晶硅产品纯度。现有技术中是利用级联的精馏塔进行氯硅烷精制提纯,氯硅烷精制技术的难点在于杂质和氯硅烷的沸点接近,通过传统的精馏法难以有效除去,提纯效果较差,浪费了较多的氯硅烷。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题和提出的技术任务是对现有技术进行改进,提供一种氯硅烷精制系统,解决目前技术中氯硅烷精制系统的难以有效去除杂质,精制效果差,氯硅烷损失大的问题。
为解决以上技术问题,本实用新型的技术方案是:
一种氯硅烷精制系统,包括精馏塔一、冷却搅拌装置、沉降分离装置和精馏塔二,所述的精馏塔一的塔釜液体输送至冷却搅拌装置进行冷却结晶处理得到结晶混合料,所述的结晶混合料输送至沉降分离装置进行静置沉降分离,静置沉降分离出的结晶渣料从沉降分离装置的排渣口排出,静置沉降分离出的液体再输送至精馏塔二进行精馏处理,精馏塔二的塔顶采出得到精制的氯硅烷。本实用新型所述的氯硅烷精制系统取代传统的直接级联的精馏塔进行氯硅烷精制提纯的方式,将精馏处理得到塔釜液体进行冷却结晶析出塔釜液体中的金属氯化物,再通过静置沉降分离的方式去除金属氯化物,从而得到纯度较高的氯硅烷液体,再将该氯硅烷液体再次进行精馏处理最终得到高纯度的精致氯硅烷,通过沉降分离出的金属氯化物只含有少量的氯硅烷作为输送流体,能减少氯硅烷的排放浪费,提高氯硅烷的得率,降低资源耗用量,降低生产成本。
进一步的,所述的精馏塔二的塔釜液体回送到冷却搅拌装置进行冷却结晶处理,将精馏塔二的塔釜液体再次进行冷却结晶和静置沉降分离,提高氯硅烷的得率,提高氯硅烷的精制纯度。
进一步的,所述的结晶混合料与供气单元输出的气流共同沿着管道输送至沉降分离装置,气流可作为输送载体,确保结晶混合料输送通畅,避免结晶混合料堵塞管道导致生产停滞、损伤设备。
进一步的,所述的冷却搅拌装置包括搅拌罐体,所述的搅拌罐体顶部设置了搅拌进料口,搅拌罐体的底部设置了搅拌出料口,所述的搅拌罐体内还设置了搅拌装置,所述的搅拌罐体的壁面设置有夹套层,所述的夹套层上设置了冷却介质进口和冷却介质出口,循环冷却系统与冷却介质进口和冷却介质出口连接向夹套层内循环输送冷却介质。控制通入夹套层的冷却介质通量来使得冷却搅拌装置内的液体降温速率均匀,从而使析出的金属氯化物晶体颗粒均匀,
进一步的,所述的冷却搅拌装置还设置有用于测试夹套层内冷却介质温度的温度检测器,精确控制冷却结晶的温度,使得金属氯化物能够充分有效的析出结晶,提高分离提纯效率,提高氯硅烷的精制纯度。
进一步的,所述的冷却搅拌装置还设置有用监测搅拌罐体内液位高度的液位传感器,保障搅拌罐体内保持一定的液位高度,使得冷却搅拌装置内的液体能始终含有一定的晶体母体,从而能使新析出的金属氯化物晶体快速长大,提高金属氯化物析出结晶效率。
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