[实用新型]半导体设备有效
| 申请号： | 201920486577.6 | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN209747467U | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 薛荣华;阚保国;刘家桦;叶日铨 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 31295 上海思捷知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王宏婧<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隔板 密封门 腔体 密封圈 半导体设备 本实用新型 开口 可拆卸的 外腔 遮蔽 擦拭 过程安全 开口设置 污染设备 杂质颗粒 清洁 可拆卸 可移动 凹陷 维护 内嵌 嵌设 腔内 取下 贴合 密封 费力 | ||
1.一种半导体设备，其特征在于，包括：
腔体，所述腔体具有开口，围绕所述开口设置有朝腔内凹陷的凹槽；
密封门，位于所述腔体外，所述密封门相对所述腔体可移动，以遮蔽所述开口，所述密封门的一侧表面内嵌设有密封圈；以及
隔板，可拆卸地嵌设于所述凹槽内，当所述密封门遮蔽所述开口时，所述密封圈与所述隔板贴合。
2.如权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述隔板的外表面和所述腔体的与所述凹槽的内表面连接的外腔面齐平。
3.如权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述凹槽为围绕所述开口的环形，所述密封门遮蔽所述开口时，所述密封圈在所述外腔面平面的正投影全部落在所述隔板的外表面上。
4.如权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，所述隔板为一体环形结构。
5.如权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，所述隔板包括可拆卸地嵌设在所述凹槽内的多个拼接块。
6.如权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，当所述密封门遮蔽所述开口时，所述密封门嵌设有所述密封圈的表面在所述外腔面平面的正投影覆盖所述隔板的外表面。
7.如权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，还包括嵌设于所述隔板与所述凹槽内表面之间的隔板密封件。
8.如权利要求1至7任一项所述的半导体设备，其特征在于，所述隔板通过螺接可拆卸地嵌设于所述凹槽中。
9.如权利要求8所述的半导体设备，其特征在于，所述凹槽底部均匀设置有多个螺纹孔，所述隔板上均匀设置有多个沉头孔，所述螺纹孔和所述沉头孔开设位置对应，利用螺钉依次穿过所述沉头孔和所述螺纹孔以嵌设所述隔板。
10.如权利要求9所述的半导体设备，其特征在于，所述螺纹孔为盲孔，所述沉头孔为通孔，所述螺钉的头部内陷于所述沉头孔。
11.如权利要求1至7任一项所述的半导体设备，其特征在于，所述隔板的材料为阳极氧化铝，或经钝化处理的铝、铁、铬、钛、钒、锆、铌、钽、钼和钨中的一种。
12.如权利要求1至7任一项所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备选自真空溅射设备、真空热蒸镀设备、化学气相沉积设备、物理气相沉积设备、分子束外延设备、原子层沉积设备、真空热退火设备、离子注入设备以及等离子体刻蚀设备中的一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
