[实用新型]全旁路保护晶体硅太阳电池组件

说明书

本实用新型涉及一种全旁路保护晶体硅太阳电池组件，由上至下依次包括封装玻璃层、第一层封装材料层、晶体硅太阳电池串、第二层封装材料层及背板层，其特征在于，晶体硅太阳电池串由N片用于将吸收的太阳能转化为对外输出的电能的晶体硅太阳能电池片一串联而成，N≥2，每片晶体硅太阳能电池片一上并联有仅作为PN结使用的晶体硅太阳能电池片二。本实用新型极大减少了现有晶体硅太阳电池组件由于阴影遮挡造成的功率损失，提升了晶体硅组件在有阴影遮挡下的发电量。

技术领域

本实用新型涉及一种全旁路保护晶体硅太阳电池组件。

背景技术

光伏组件在户外发电环境中很可能表面出现阴影遮挡。当一个或几个太阳电池片被遮挡，其他电池片未被遮挡时，被遮挡的电池片不仅不能发电而且会成为热电阻阻碍消耗其他正常电池片所产生的电能。这样导致整个组件的输出功率大幅下降。

目前为了减少光伏组件在阴影下的损失，一个光伏组件中的电池片被分成3个子电池串，每个子电池串会在接线盒处并联一个旁路二极管。当子电池串中出现被阴影遮挡的电池片时，整个子电池串的输出功率出现下降，旁路二极管两端的电压变大，一旦达到旁路二极管的导通电压旁路二极管被导通，整个子电池串被短路。其他正常的两个子电池串的电流就会通过旁路二极管输出到负载，而不必再通过被遮挡的子电池串被消耗掉。

但目前的旁路保护技术只能对子电池串进行保护，并不能对组件中的每个电池片进行保护。子电池串中有很多个电池片，当其中一个或几个出现遮挡时并联在此子电池串上的旁路二极管就会被导通。虽然保护了其他两个子电池串，但是也导致了此电池串中没被阴影遮挡的电池片的功率损失。现有方法不能最大化地有效保护部分电池片出现阴影遮挡时的组件输出功率。

实用新型内容

本实用新型的目的是：实现对晶体硅太阳电池组件中每个电池片的旁路保护，使得组件内某个电池片被遮挡时，不会引起其他未被遮挡的电池片的功率损失。

为了达到上述目的，本实用新型的技术方案是提供了一种全旁路保护晶体硅太阳电池组件，由上至下依次包括封装玻璃层、第一层封装材料层、晶体硅太阳电池串、第二层封装材料层及背板层，其特征在于，晶体硅太阳电池串由N片用于将吸收的太阳能转化为对外输出的电能的晶体硅太阳能电池片一串联而成，N≥2，每片晶体硅太阳能电池片一上并联有仅作为PN结使用的晶体硅太阳能电池片二。

优选地，所述晶体硅太阳能电池片二的体积远小于所述晶体硅太阳能电池片一的体积。

优选地，所述晶体硅太阳能电池片一的正面及背面的尺寸范围为125mm×125mm～200mm×200mm，厚度范围为100μm～200μm；所述晶体硅太阳能电池片二的正面及背面的边长范围为1cm～2cm，面积范围为1cm²～4cm²。

优选地，所述晶体硅太阳能电池片二通过对废旧的晶体硅太阳能电池片切割处理得到。

优选地，所述晶体硅太阳能电池片一的正面主栅与所述晶体硅太阳能电池片二的背面主栅纵向对齐，且通过正面焊带焊接连接；所述晶体硅太阳能电池片一的背面主栅与所述晶体硅太阳能电池片二的正面主栅纵向对齐，且通过背面焊带焊接连接。

优选地，所述晶体硅太阳能电池片二位于所述晶体硅太阳能电池片一的角部，通过所述正面焊带及所述背面焊带将所述晶体硅太阳能电池片二与所述晶体硅太阳能电池片一连接成为整体。

与现有普通光伏组件对比，本实用新型可以完全起到对每个电池片在阴影遮挡下的旁路保护作用。极大减少了现有晶体硅太阳电池组件在3个旁路二极管保护下，由于阴影遮挡造成的一串电池片，两串电池片甚至全部电池片的功率损失。本实用新型极大地提升了晶体硅组件在有阴影遮挡下的发电量。更进一步，实用新型中的晶体硅太阳能电池片二来源于从废旧电池片，不仅起到废料回收利用的作用，而且充分利用了组件空白区域，提高组件表面的利用率。

附图说明