[实用新型]全旁路保护晶体硅太阳电池组件有效
| 申请号： | 201920483999.8 | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN209691768U | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 常纪鹏;卢刚;何凤琴;孟庆平 | 申请（专利权）人： | 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;黄河水电光伏产业技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/05 | 分类号： | H01L31/05;H01L31/0475 |
| 代理公司： | 31001 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 翁若莹;柏子雵<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 810000 青*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体硅太阳能电池片 晶体硅太阳电池组件 晶体硅太阳电池 本实用新型 封装材料层 阴影遮挡 晶体硅组件 太阳能转化 封装玻璃 功率损失 旁路保护 背板层 第一层 并联 发电量 串联 输出 吸收 | ||
1.一种全旁路保护晶体硅太阳电池组件，由上至下依次包括封装玻璃层、第一层封装材料层、晶体硅太阳电池串、第二层封装材料层及背板层，其特征在于，晶体硅太阳电池串由N片用于将吸收的太阳能转化为对外输出的电能的晶体硅太阳能电池片一串联而成，N≥2，每片晶体硅太阳能电池片一上并联有仅作为PN结使用的晶体硅太阳能电池片二。
2.如权利要求1所述的一种全旁路保护晶体硅太阳电池组件，其特征在于，所述晶体硅太阳能电池片二的体积远小于所述晶体硅太阳能电池片一的体积。
3.如权利要求1所述的一种全旁路保护晶体硅太阳电池组件，其特征在于，所述晶体硅太阳能电池片一的正面及背面的尺寸范围为125mm×125mm～200mm×200mm，厚度范围为100μm～200μm；所述晶体硅太阳能电池片二的正面及背面的边长范围为1cm～2cm，面积范围为1cm2～4cm2。
4.如权利要求1所述的一种全旁路保护晶体硅太阳电池组件，其特征在于，所述晶体硅太阳能电池片二通过对废旧的晶体硅太阳能电池片切割处理得到。
5.如权利要求1所述的一种全旁路保护晶体硅太阳电池组件，其特征在于，所述晶体硅太阳能电池片一的正面主栅与所述晶体硅太阳能电池片二的背面主栅纵向对齐，且通过正面焊带焊接连接；所述晶体硅太阳能电池片一的背面主栅与所述晶体硅太阳能电池片二的正面主栅纵向对齐，且通过背面焊带焊接连接。
6.如权利要求5所述的一种全旁路保护晶体硅太阳电池组件，其特征在于，所述晶体硅太阳能电池片二位于所述晶体硅太阳能电池片一的角部，通过所述正面焊带及所述背面焊带将所述晶体硅太阳能电池片二与所述晶体硅太阳能电池片一连接成为整体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
