[实用新型]射频线圈用校准系统、工艺腔室和半导体处理设备有效
申请号: | 201920468545.3 | 申请日: | 2019-04-09 |
公开(公告)号: | CN209561346U | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 刘晶晶 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频线圈 驱动机构 控制器 距离检测单元 校准系统 介质筒 半导体处理设备 工艺腔室 实际距离 校准 同轴 本实用新型 电连接 控制端 同轴度 外周壁 发送 驱动 检测 移动 制作 | ||
本实用新型公开了一种射频线圈用校准系统、工艺腔室和半导体处理设备。校准系统包括控制器、至少一组距离检测单元以及至少一个驱动机构;每组距离检测单元均设置在射频线圈上,以检测射频线圈与介质筒外周壁之间的实际距离并将其发送至控制器;每个驱动机构均直接或间接地与射频线圈连接;控制器分别与各组距离检测单元以及各驱动机构的控制端电连接,控制器能够根据接收到的各实际距离控制对应的驱动机构驱动射频线圈移动,以使得射频线圈与介质筒同轴。可以自动将射频线圈校准至与介质筒同轴,并且,可以满足较高的同轴度要求,从而可以提高射频线圈的校准效率,降低制作成本。
技术领域
本实用新型涉及半导体设备技术领域,具体涉及一种射频线圈用校准系统、一种工艺腔室以及一种半导体处理设备。
背景技术
物理气相传输法(Physical Vapor Transport,简称PVT)是目前生长大尺寸、高质量碳化硅单晶的唯一成熟方法。PVT法所采用的设备一般包括石墨坩埚、环绕石墨坩埚设置的石英管以及环绕石英管设置的射频线圈以及与射频线圈电连接提供射频能量的射频电源,在晶体生长过程中,射频电源向射频线圈提供射频能量,射频线圈中的交变电流产生交变磁场,交变磁场经过石英管耦合至石墨坩埚内部,以在石墨坩埚内产生感应电流,从而可以利用所产生的感应电流加热石墨坩埚,以作为整个碳化硅单晶生长炉的热源。石墨坩埚中的温度场是由先升温的石墨坩埚壁进行热传递而形成的,因此,射频线圈、
石英管与石墨坩埚同轴可以相对保证所产生的交变磁场对于圆心轴是对称的,从而可以保证边缘区域的温度均匀性。
但是,现有的调节射频线圈与石英管同轴的方法一般是将射频线圈固定在驱动机构上,通过人工测量射频线圈与石英管的外周壁之间的距离,从而通过驱动机构驱动射频线圈调整其与石英管的外周壁之间的距离,以实现两者同轴的目的。
显然,现有的调整射频线圈与石英管同轴的方法,效率低下,并且,人工测量也存在一定的误差,导致射频线圈与石英管的同轴度存在较大误差。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种射频线圈用校准系统、一种工艺腔室以及一种半导体处理设备。
为了实现上述目的,本实用新型的第一方面,提供了一种射频线圈用校准系统,用于将射频线圈校准至与介质筒同轴,所述校准系统包括控制器、至少一组距离检测单元以及至少一个驱动机构;其中,
每组所述距离检测单元均设置在所述射频线圈上,以检测所述射频线圈与所述介质筒外周壁之间的实际距离并将其发送至所述控制器;
每个所述驱动机构均直接或间接地与所述射频线圈连接;
所述控制器分别与各组所述距离检测单元以及各所述驱动机构的控制端电连接,所述控制器能够根据接收到的各所述实际距离控制对应的所述驱动机构驱动所述射频线圈移动,以使得所述射频线圈与所述介质筒同轴。
可选地,每组所述距离检测单元均包括至少一个距离传感器。
可选地,每个所述驱动机构均包括驱动电机以及与所述驱动电机的输出轴连接的传动机构,每个所述传动机构均直接或间接地与所述射频线圈连接。
可选地,所述传动机构采用齿轮齿条传动机构;其中,齿轮与所述驱动电机的输出轴连接,齿条与所述齿轮啮合,并且,所述齿条还与所述射频线圈直接或间接地连接。
可选地,所述校准系统包括三个所述驱动机构,分别为X轴驱动机构、Y轴驱动机构和Z轴驱动机构;
所述X轴驱动机构与所述Y轴驱动机构均与所述Z轴驱动机构连接,所述Z轴驱动机构与所述射频线圈直接连接;
或,
所述X轴驱动机构、所述Y轴驱动机构以及所述Z轴驱动机构均各自独立地与所述射频线圈直接连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造