[实用新型]气体传输装置有效
申请号: | 201920458475.3 | 申请日: | 2019-04-04 |
公开(公告)号: | CN209981173U | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 周舟;周亚勇;陈伏宏;刘家桦;叶日铨 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 31294 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体传输装置 晶圆 止逆阀板 止逆阀 发生颗粒 晶圆表面 颗粒杂质 外界环境 外界气体 良率 沾染 加工 | ||
该实用新型涉及一种气体传输装置,包括:止逆阀板,设置于所述气体传输装置底部,包括止逆阀,所述止逆阀设置在所述气体传输装置底部,用于防止外界气体从所述气体传输装置底部进入所述气体传输装置。上述气体传输装置通过设置在所述气体传输装置底部的止逆阀板来防止外界环境中的颗粒进入到所述气体传输装置内部,可以降低所述气体传输装置内部的晶圆被颗粒沾染的可能性,减少晶圆表面出现颗粒杂质,防止晶圆发生颗粒缺陷,提高晶圆的加工良率。
技术领域
本实用新型涉及晶圆加工生产领域,具体涉及一种气体传输装置。
背景技术
现在的晶圆生产过程中,都要求晶圆表面保持绝对的洁净,从而来保证晶圆生产加工的良率。如在晶圆的光刻中,晶圆表面、掩膜表面都需要保持决定的洁净,才能保证晶圆光刻的成功。
现有的工艺机台都采用气体传输装置来将晶圆传输到真空环境中,再进行后续的工艺加工。然而,晶圆在经过所述气体传输装置传输后,晶圆表面经常出现颗粒杂质,晶圆表面的绝对洁净被破坏,容易发生颗粒缺陷,晶圆的加工良率降低。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种气体传输装置,能够防止气体传输装置中的晶圆表面出现颗粒杂质,降低晶圆发生颗粒缺陷的可能性,提高晶圆的加工良率。
为解决上述技术问题,以下提供了一种气体传输装置,包括:止逆阀板,设置于所述气体传输装置底部,包括止逆阀,所述止逆阀设置在所述气体传输装置底部,用于防止外界气体从所述气体传输装置底部进入所述气体传输装置。
可选的,所述止逆阀包括:止逆件,安装于至所述气体传输装置底部,用于阻挡外界气体从所述气体传输装置底部进入所述气体传输装置。
可选的,所述止逆阀还包括:框架,形状与所述止逆件的形状相一致,设置于所述气体传输装置底部,用于安装所述止逆件。
可选的,所述止逆件为片状止逆件,且所述止逆件平铺在所述框架内。
可选的,所述止逆阀板的尺寸与所述气体传输装置底部的尺寸相同,以使得所述气体传输装置底部完全被所述止逆阀板所覆盖。
可选的,所述止逆阀还包括:铰链,包括第一合页和第二合页,所述第一合页和第二合页通过连接轴相连接,且所述第一合页连接至所述框架,所述第二合页连接至所述止逆件。
可选的,所述第二合页可绕所述连接轴发生旋转,所述止逆件能够跟随所述第二合页绕所述连接轴发生旋转。
可选的,所述止逆阀还包括:弹簧,设置于所述止逆阀朝向所述气体传输装置内部的一侧,且所述弹簧的一端连接至所述框架,另一端连接至所述止逆件,用于给所述止逆件施加朝向气体传输装置内部的力,以将向外打开的止逆件拉回至平铺于所述气体传输装置底部。
可选的,所述止逆阀板包括多个止逆阀,且各个止逆阀并列排布于所述止逆阀板所在的平面上,并将所述止逆阀板铺满。
上述气体传输装置通过设置在所述气体传输装置底部的止逆阀板来防止外界环境中的颗粒进入到所述气体传输装置内部,可以降低所述气体传输装置内部的晶圆被颗粒沾染的可能性,防止晶圆表面出现颗粒杂质,并进一步防止晶圆发生颗粒缺陷,提高晶圆的加工良率。
附图说明
图1为本实用新型一种具体实施方式中气体传输装置的结构示意图。
图2为本实用新型一种具体实施方式中止逆阀板的结构示意图。
图3为本实用新型一种具体实施方式中设置于止逆阀板的止逆阀打开时的示意图。
图4为本实用新型一种具体实施方式中设置于止逆阀板的止逆阀打开时的侧视示意图。
图5为本实用新型一种具体实施方式中止逆件与弹簧的连接示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造