[实用新型]集成电路和器件

说明书

本公开的实施例涉及包括集成电路和器件。本公开涉及包括一行或多行晶体管的集成电路。在一个实施例中，集成电路包括双极晶体管行，该双极晶体管行包括多个第一导电区域、第二导电区域以及共用基极，共用基极位于第一导电区域和第二导电区域之间。绝缘沟槽与双极晶体管行中的每个双极晶体管接触。导电层位于绝缘沟槽和共用基极上，位于第一导电区域之间。间隔件层位于导电层和第一导电区域之间。

技术领域

本公开涉及集成电路。本公开更特别地适用于形成存储器单元的阵列。

背景技术

存储器通常采用阵列的形式，阵列包括字线和列(或者位线)。包含二进制信息的存储器单元位于字线和位线的每个交叉点处。

在相变存储器中，每个存储器单元包括相变材料层，其下部与电阻性元件接触。相变材料是可以从结晶相转变为无定型相(反之亦然)的材料。这种转变是由电流传导所通过的电阻性元件的温度的升高导致的。材料的无定型相与其晶相之间的电阻差用于定义两种存储器状态，例如0和1。

在相变存储器的示例中，存储器单元例如由双极晶体管控制，双极晶体管传导或者不传导用于加热电阻性元件的电流。属于同一位线的存储器单元通过覆盖相变材料的导体连接，并且属于同一字线的存储器单元通过双极晶体管的基极(例如，通过同一字线的所有晶体管共用的基极)连接在一起。

例如，通过测量存储器单元的位线和字线之间的电阻来访问相变存储器的存储器单元的二进制信息。

实用新型内容

在第一方面，提供了一种集成电路，包括：双极晶体管行，包括：多个第一导电区域；第二导电区域；和共用基极，位于第一导电区域和第二导电区域之间；绝缘沟槽，与双极晶体管行中的每个双极晶体管接触；导电层，位于绝缘沟槽上，并且位于共用基极上，位于第一导电区域之间；以及间隔件层，位于导电层和第一导电区域之间。

根据一个实施例，导电层包括多晶硅。

根据一个实施例，集成电路还包括金属层，金属层位于导电层和共用基极之间。

根据一个实施例，导电层包括金属。

根据一个实施例，金属是钛。

根据一个实施例，双极晶体管行中的每个双极晶体管在使用中控制相变存储器中的相应的存储器单元。

根据一个实施例，导电层通过单个过孔连接到互连网络。

根据一个实施例，多个第一导电区域接触基极，并且基极接触第二导电区域。

根据一个实施例，双极晶体管行中的每个双极晶体管均包括第二导电区域。

根据一个实施例，导电层的至少多个部分覆盖有绝缘条带和多晶硅条带。

在第二方面，提供了一种器件，包括：第一行的晶体管，沿第一方向布置，第一行的晶体管包括：第一导电区域，具有第一掺杂剂类型；共用基极，位于第一导电区域上，共用基极具有第二掺杂剂类型，第二掺杂剂类型与第一掺杂剂类型相反；多个第二导电区域，位于共用基极上，多个第二导电区域具有第一掺杂剂类型，第一行中的每个晶体管均包括相应的第二导电区域；和第一绝缘沟槽，沿第一方向延伸并且与第一行的晶体管中的每个晶体管接触；导电层，位于第一绝缘沟槽和共用基极上，导电层具有第一部分和多个第二部分，第一部分沿第一方向延伸，多个第二部分沿第二方向从第一部分延伸，第二方向横向于第一方向，导电层的多个第二部分中的每个第二部分在第二导电区域的邻近的第二导电区域之间延伸；以及间隔件层，位于导电层和第二导电区域之间。

根据一个实施例，器件还包括金属层，金属层位于导电层和共用基极之间，其中导电层包括多晶硅。

根据一个实施例，器件还包括：第二行的晶体管，沿第一方向布置，第二行的晶体管通过绝缘沟槽与第一行的晶体管间隔开。