[实用新型]集成电路和器件

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，包括：

双极晶体管行，包括：

多个第一导电区域；

第二导电区域；和

共用基极，位于所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；

绝缘沟槽，与所述双极晶体管行中的每个双极晶体管接触；

导电层，位于所述绝缘沟槽上，并且位于所述共用基极上，位于所述第一导电区域之间；以及

间隔件层，位于所述导电层和所述第一导电区域之间。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述导电层包括多晶硅。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，还包括金属层，所述金属层位于所述导电层和所述共用基极之间。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述导电层包括金属。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其特征在于，所述金属是钛。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述双极晶体管行中的每个双极晶体管在使用中控制相变存储器中的相应的存储器单元。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述导电层通过单个过孔连接到互连网络。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述多个第一导电区域接触所述基极，并且所述基极接触所述第二导电区域。

9.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述双极晶体管行中的每个所述双极晶体管均包括所述第二导电区域。

10.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述导电层的至少多个部分覆盖有绝缘条带和多晶硅条带。

11.一种器件，其特征在于，包括：

第一行的晶体管，沿第一方向布置，所述第一行的晶体管包括：

第一导电区域，具有第一掺杂剂类型；

共用基极，位于所述第一导电区域上，所述共用基极具有第二掺杂剂类型，所述第二掺杂剂类型与所述第一掺杂剂类型相反；

多个第二导电区域，位于所述共用基极上，所述多个第二导电区域具有所述第一掺杂剂类型，所述第一行中的每个所述晶体管均包括相应的第二导电区域；和

第一绝缘沟槽，沿所述第一方向延伸并且与所述第一行的晶体管中的每个晶体管接触；

导电层，位于所述第一绝缘沟槽和所述共用基极上，所述导电层具有第一部分和多个第二部分，所述第一部分沿所述第一方向延伸，所述多个第二部分沿第二方向从所述第一部分延伸，所述第二方向横向于所述第一方向，所述导电层的所述多个第二部分中的每个第二部分在所述第二导电区域的邻近的第二导电区域之间延伸；以及

间隔件层，位于所述导电层和所述第二导电区域之间。

12.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，还包括金属层，所述金属层位于所述导电层和所述共用基极之间，其中所述导电层包括多晶硅。

13.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，还包括：

第二行的晶体管，沿所述第一方向布置，所述第二行的晶体管通过所述绝缘沟槽与所述第一行的晶体管间隔开。

14.根据权利要求13所述的器件，其特征在于，还包括：

第二绝缘沟槽，沿所述第一方向延伸并且与所述第二行的晶体管中的每个晶体管接触，所述第二行的晶体管在所述第一绝缘沟槽和所述第二绝缘沟槽之间。