[实用新型]驱动过流检测电路

说明书

一种驱动过流检测电路，包括：驱动管、与驱动管相同类型的MOS管、运算放大电路、第一电流镜电路以及基准电流源，其中：所述运算放大电路，第一输入端与所述驱动管的漏极耦接，第二输入端与所述MOS管的漏极耦接，输出端与所述第一电流镜电路的电流输入端耦接；驱动管，栅极输入控制信号；MOS管，栅极输入控制信号；第一电流镜电路，电流输出端与基准电流源的输出端、驱动过流检测电路的判断结果输出端耦接；当所述第一电流镜的电流输出端的输出电流大于所述基准电流源的输出电流时，判定所述驱动管过流。上述方案能够准确地判断驱动管是否过流。

技术领域

本实用新型涉及电路领域，尤其涉及一种驱动过流检测电路。

背景技术

驱动管等驱动器件在工作时，由于驱动管自身的电阻较小，驱动管上流经的电流由于驱动管耦接的负载决定。当负载较小，甚至负载短路时，驱动管上流经的电流较大，驱动管出现过流的情况。当驱动管出现过流的情况时，会对驱动管或者负载造成严重损坏。因此，需要对驱动管的输出电流进行限制，以避免上述情况的发生。

现有技术中，为判断是否有驱动管过流的情况发生，一种方案是在驱动管与地之间串联电阻。由于驱动管上流经的电流流过电阻，因此可以通过电阻的压降来判断驱动管是否出现过流的情况。然而，驱动管的输出阻抗越小越好，否则大部分的功率消耗在驱动管本身而非负载，就达不到驱动的目的。在驱动管与地之间串联电阻之后，驱动管等效输出阻抗就增加了，影响了驱动管的性能。另一种判断驱动管是否过流的方案是直接测量驱动管上的压降进而判断是否过流。然而，由于温度、工艺等偏差，驱动管上的压降与流经驱动管的电流并不能精准按照方案设想对应。

现有的避免驱动管过流的方案，无法在不影响驱动性能条件下精确地判断驱动管是否过流。

实用新型内容

本实用新型实施例解决的是现有的避免驱动管过流的方案中，无法精确地判断驱动管是否过流的技术问题。

为解决上述技术问题，本实用新型实施例提供一种驱动过流检测电路，包括：驱动管、与所述驱动管相同类型的MOS管、运算放大电路、第一电流镜电路以及基准电流源，其中：所述运算放大电路，第一输入端与所述驱动管的漏极耦接，第二输入端与所述MOS管的漏极耦接，输出端与所述第一电流镜电路的电流输入端耦接；所述驱动管，栅极输入控制信号；所述MOS管，栅极输入控制信号；当所述驱动管与所述MOS管均为PMOS管时，所述驱动管的源极与所述MOS管的源极均输入电源电压；当所述驱动管与所述MOS管均为NMOS管时，所述驱动管的源极与所述MOS管的源极均与地耦接；所述运算放大电路的输出电流与所述驱动管上流经的电流相关所述第一电流镜电路，电流输出端与所述基准电流源的输出端、所述驱动过流检测电路的判断结果输出端耦接；当所述第一电流镜的电流输出端的输出电流大于所述基准电流源的输出电流时，判定所述驱动管过流。

可选的，所述驱动管为PMOS管，所述MOS管为第一PMOS管。

可选的，所述第一电流镜电路，包括：第二NMOS管以及第三NMOS管，其中：所述第二NMOS管的栅极与漏极耦接，漏极为所述第一电流镜电路的电流输入端，源极与地耦接；所述第三NMOS管，漏极为所述第一电流镜电路的电流输出端，栅极与所述第二NMOS管的栅极耦接，源极与地耦接。

可选的，所述第二NMOS管的宽长比为所述第三NMOS管的宽长比的N倍，N＞1。

可选的，所述运算放大电路，包括：第一NMOS管以及误差放大电路，其中：所述误差放大电路，第一输入端为所述运算放大电路的第一输入端，第二输入端为所述运算放大电路的第二输入端，输出端与所述第一NMOS管的栅极耦接；所述第一NMOS管，漏极与所述误差放大电路的第二输入端耦接，源极为所述运算放大电路的输出端。