[实用新型]驱动过流检测电路

权利要求书

1.一种驱动过流检测电路，其特征在于，包括：驱动管、与所述驱动管相同类型的MOS管、运算放大电路、第一电流镜电路以及基准电流源，其中：

所述运算放大电路，第一输入端与所述驱动管的漏极耦接，第二输入端与所述MOS管的漏极耦接，输出端与所述第一电流镜电路的电流输入端耦接；

所述驱动管，栅极输入控制信号；

所述MOS管，栅极输入控制信号；当所述驱动管与所述MOS管均为PMOS管时，所述驱动管的源极与所述MOS管的源极均输入电源电压；当所述驱动管与所述MOS管均为NMOS管时，所述驱动管的源极与所述MOS管的源极均与地耦接；所述运算放大电路的输出电流与所述驱动管上流经的电流相关；

所述第一电流镜电路，电流输出端与所述基准电流源的输出端、所述驱动过流检测电路的判断结果输出端耦接；当所述第一电流镜的电流输出端的输出电流大于所述基准电流源的输出电流时，判定所述驱动管过流。

2.如权利要求1所述的驱动过流检测电路，其特征在于，所述驱动管为PMOS管，所述MOS管为第一PMOS管。

3.如权利要求2所述的驱动过流检测电路，其特征在于，所述第一电流镜电路，包括：第二NMOS管以及第三NMOS管，其中：

所述第二NMOS管的栅极与漏极耦接，漏极为所述第一电流镜电路的电流输入端，源极与地耦接；

所述第三NMOS管，漏极为所述第一电流镜电路的电流输出端，栅极与所述第二NMOS管的栅极耦接，源极与地耦接。

4.如权利要求3所述的驱动过流检测电路，其特征在于，所述第二NMOS管的宽长比为所述第三NMOS管的宽长比的N倍，N＞1。

5.如权利要求2所述的驱动过流检测电路，其特征在于，所述运算放大电路，包括：第一NMOS管以及误差放大电路，其中：

所述误差放大电路，第一输入端为所述运算放大电路的第一输入端，第二输入端为所述运算放大电路的第二输入端，输出端与所述第一NMOS管的栅极耦接；

所述第一NMOS管，漏极与所述误差放大电路的第二输入端耦接，源极为所述运算放大电路的输出端。

6.如权利要求5所述的驱动过流检测电路，其特征在于，所述驱动过流检测电路还包括：第一偏置电流源，其中：

所述第一偏置电流源，电流输出端与所述误差放大电路的偏置电流输入端耦接；

所述误差放大电路，还包括第一电流镜偏置；所述第一电流镜偏置，电流输入端为所述误差放大电路的偏置电流输入端，电流输出端为所述误差放大电路的输出端，适于将所述第一偏置电流源输出的第一偏置电流镜像至所述误差放大电路的输出端并输出。

7.如权利要求6所述的驱动过流检测电路，其特征在于，所述误差放大电路，包括：第二PMOS管、第三PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管以及第六NMOS管，其中：

所述第二PMOS管的栅极与漏极耦接，源极与所述驱动管的漏极耦接，漏极与所述第四NMOS管的漏极耦接；

所述第三PMOS管，源极与所述第一PMOS管的漏极耦接，栅极与所述第二PMOS管的栅极耦接，漏极与所述第五NMOS管的漏极耦接；

所述第四NMOS管，栅极与所述第五NMOS管的栅极耦接，源极与地耦接；

所述第五NMOS管，源极与地耦接，漏极为所述误差放大电路的输出端以及所述第一电流镜偏置的电流输出端；

所述第六NMOS管，漏极为所述第一电流镜偏置的电流输入端，栅极与所述第四NMOS管的栅极、所述第五NMOS管的栅极以及所述第六NMOS管的漏极耦接，源极与地耦接。

8.如权利要求6所述的驱动过流检测电路，其特征在于，还包括：第二偏置电流源，电流输出端与所述第一电流镜电路的电流输入端耦接。

9.如权利要求1所述的驱动过流检测电路，其特征在于，所述驱动管为NMOS管，所述MOS管为第七NMOS管。