[实用新型]双向功率器件

权利要求书

1.一种双向功率器件，其特征在于，包括：

半导体层；

位于半导体层中的沟槽；

位于所述沟槽侧壁上的栅介质层；

位于所述沟槽内的控制栅，所述控制栅从所述半导体层的第一表面延伸至所述沟槽下部；

其中，所述控制栅与所述半导体层之间由所述栅介质层隔开。

2.根据权利要求1所述的双向功率器件，其特征在于，位于所述半导体层中且邻近控制栅的源区和漏区，位于所述半导体层中且邻近所述沟槽下部的控制栅的沟道区。

3.根据权利要求2所述的双向功率器件，其特征在于，所述源区和漏区从所述半导体层的第一表面延伸至与所述沟槽下部的控制栅交叠。

4.根据权利要求2所述的双向功率器件，其特征在于，所述源区和漏区在所述半导体层中延伸的长度为0.5～1.5um。

5.根据权利要求2所述的双向功率器件，其特征在于，所述半导体层的掺杂类型为第一掺杂类型，所述源区和漏区的掺杂类型为第二掺杂类型，所述沟道区的掺杂类型为第一掺杂类型或第二掺杂类型，第一掺杂类型和第二掺杂类型相反。

6.根据权利要求1所述的双向功率器件，其特征在于，所述沟槽的长度为1.2～2.2um，宽度为0.1～0.6um。

7.根据权利要求1所述的双向功率器件，其特征在于，所述半导体层选自半导体衬底本身、在半导体衬底上形成的外延层或者在半导体衬底中注入的阱区中的一种。

8.根据权利要求2所述的双向功率器件，其特征在于，还包括：

第一接触，与所述源区相接触以形成第一输出电极；

第二接触，与所述漏区相接触以形成第二输出电极；

第三接触，与所述半导体层相接触以形成衬底电极；

第四接触，与所述控制栅相接触以形成栅电极。

9.根据权利要求8所述的双向功率器件，其特征在于，还包括：

第一引线区，位于所述源区内，其中，第一引线区的掺杂浓度大于所述源区的掺杂浓度；

覆盖介质层，位于所述半导体层的第一表面上；

第一接触孔，贯穿所述覆盖介质层延伸至所述源区；

所述第一接触通过第一接触孔、第一引线区与所述源区相接触。

10.根据权利要求9所述的双向功率器件，其特征在于，还包括：

第二引线区，位于所述漏区内，其中，第二引线区的掺杂浓度大于所述漏区的掺杂浓度；

第二接触孔，贯穿所述覆盖介质层延伸至所述漏区；

所述第二接触通过第二接触孔、第二引线区与所述漏区相接触。

11.根据权利要求10所述的双向功率器件，其特征在于，还包括：

第三引线区，位于所述半导体层内且靠近所述半导体层的第一表面，其中，所述第三引线区的掺杂浓度大于半导体层的掺杂浓度；

第三接触孔，贯穿所述覆盖介质层延伸至所述半导体层；

所述第三接触通过第三接触孔、第三引线区与所述半导体层相接触。

12.根据权利要求10所述的双向功率器件，其特征在于，还包括：

第四接触孔，贯穿所述覆盖介质层延伸至所述控制栅。

13.根据权利要求10所述的双向功率器件，其特征在于，所述第三接触位于所述半导体层的第二表面上。

14.根据权利要求8所述的双向功率器件，其特征在于，还包括：

布线层，所述布线层包括第一布线至第四布线，分别通过多个导电孔与所述第一输出电极、第二输出电极、衬底电极以及栅电极电连接。