[实用新型]一种芯片布局结构有效
| 申请号： | 201920393516.5 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN209708977U | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 林贵同;曹攀 | 申请（专利权）人： | 北京普安信科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 11624 北京卓岚智财知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 郭智<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 100102 北京市朝阳区望京西*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单元矩阵 外围电路单元 接地保护 芯片布局结构 本实用新型 布局设计 方法适合 复制功能 函数映射 芯片失效 周边电路 周边设置 槽设置 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种芯片布局结构，其特征在于，所述结构包括不可复制功能单元矩阵即PUF单元矩阵、外围电路单元及接地保护槽；
在所述PUF单元矩阵周边设置所述外围电路单元；
所述接地保护槽设置在所述PUF单元矩阵与所述外围电路单元之间。
2.如权利要求1所述的芯片布局结构，其特征在于，所述接地保护槽为凹槽结构，所述PUF单元矩阵设置在所述接地保护槽的凹槽内。
3.如权利要求2所述的芯片布局结构，其特征在于，所述PUF单元矩阵边缘与所述接地保护槽之间的距离设置在0.5微米至2微米的范围之间。
4.如权利要求1-3之一所述的芯片布局结构，其特征在于，所述接地保护槽包括高掺杂P型层、接地金属及硅衬底。
5.如权利要求4所述的芯片布局结构，其特征在于，所述接地金属与所述高掺杂P型层之间设置为欧姆接触。
6.如权利要求5所述的芯片布局结构，其特征在于，
所述PUF单元矩阵的外圈PUF单元为虚拟状态的PUF单元。
7.如权利要求5所述的芯片布局结构，其特征在于，
所述PUF单元矩阵的外两圈PUF单元为虚拟状态的PUF单元。
8.如权利要求5-7之一所述的芯片布局结构，其特征在于，
在所述PUF单元矩阵的PUF单元之间设置氧化隔离层。
9.如权利要求8所述的芯片布局结构，其特征在于，
所述外围电路单元包括：读出电路、选址电路、控制电路及偏置电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
