[实用新型]麦克风封装结构及电子设备有效

专利信息
申请号: 201920379854.3 申请日: 2019-03-25
公开(公告)号: CN209562739U 公开(公告)日: 2019-10-29
发明(设计)人: 李燚;肖荣彬 申请(专利权)人: 联想(北京)有限公司
主分类号: H04R1/08 分类号: H04R1/08
代理公司: 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 代理人: 王伟锋;刘铁生
地址: 100085 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 焊盘 麦克风封装 屏蔽外壳 本实用新型 电子设备 芯片部 传递电子信号 屏蔽干扰信号 电子信号 干扰信号 硅麦克风 手持设备 天线耦合 麦克风 电连接 封装 通话 抵抗 传递 输出
【说明书】:

实用新型公开了一种麦克风封装结构及电子设备,涉及硅麦克风封装技术领域,主要目的是提供一种能够提高麦克风抵抗外界天线耦合干扰的麦克风封装结构及电子设备。本实用新型的主要技术方案为:一种麦克风封装结构,包括:屏蔽外壳,屏蔽外壳用于屏蔽干扰信号;芯片部,芯片部设置在屏蔽外壳内,用于输出电子信号;焊盘,焊盘包括第一焊盘和第二焊盘,第一焊盘与芯片部连接形成第一导线,用于传递电子信号,第二焊盘与屏蔽外壳连接形成第二导线,用于传递干扰信号;其中,第一导线与第二导线不进行电连接。本实用新型主要用于手持设备通话。

技术领域

本实用新型涉及麦克风封装技术领域,尤其涉及一种麦克风封装结构及电子设备。

背景技术

随着科学技术的快速发展,手机及其他手持设备在现代生活中日趋普及化。现有的手机或者其他手持设备中,通常会设置MEMS麦克风(微型机电系统麦克风),俗称硅麦克风,硅麦克风是一个电容器集成在微硅晶片上,可以采用表贴工艺进行制造,能够承受很高的回流焊温度,容易与CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)工艺及其它音频电路相集成,并具有改进的噪声消除性能与良好的射频及电磁干扰抑制能力。硅麦克风按照结构分类,包括零高度硅麦克风和前进音硅麦克风,两者的区别在于,零高度硅麦克风的音孔设置在电路板上,前进音硅麦克风的音孔设置在外壳上。

在手机或者其他手持设备进行通话时,由于MEMS麦克风的位置与发射天线的位置距离较近,经常会出现“滋滋”的电流声,导致听不清听筒中的声音,从而严重影响通话质量。现有技术中,通过修改硅麦克风的摆放位置,使硅麦克风远离发射天线,或者通过更换其他型号或者规格的硅麦克风,但是,这样的改变需要更改现有的电路板的结构设计,从而增加生产成本和研发成本。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型实施例提供一种麦克风封装结构,主要目的是提供一种能够提高麦克风抵抗外界天线耦合干扰的麦克风封装结构及电子设备。

为达到上述目的,本实用新型主要提供如下技术方案:

一方面,本实用新型实施例提供了一种麦克风封装结构,包括:

屏蔽外壳,所述屏蔽外壳用于屏蔽干扰信号;

芯片部,所述芯片部设置在所述屏蔽外壳内,用于输出电子信号;

焊盘,所述焊盘包括第一焊盘和第二焊盘,所述第一焊盘与所述芯片部连接形成第一导线,用于传递电子信号,所述第二焊盘与所述屏蔽外壳连接形成第二导线,用于传递干扰信号;其中,第一导线与第二导线不进行电连接。

进一步的,基板,所述基板的一侧设置所述第一焊盘和所述第二焊盘,另一侧设置所述芯片部和所述屏蔽外壳。

进一步的,所述芯片部包括第一芯片部件和第二芯片部件,所述第一芯片部件连接于所述第一导线,所述第二芯片部件连接于所述第一芯片部件,用于传递电子信号。

进一步的,所述焊盘还包括第三焊盘,所述芯片部还包括第三芯片部件,所述第三焊盘设置在所述基板的一侧,所述第三焊盘与所述第三芯片部件连接形成第三导线,用于传递电子信号。

进一步的,所述芯片部还包括覆盖层,所述覆盖层覆盖在所述第一芯片部件上,用于保护所述第一芯片部件。

进一步的,所述芯片部还包括固定层,所述固定层覆盖在所述基板的一侧,用于固定所述第一芯片部件、所述第二芯片部件和所述屏蔽外壳。

进一步的,第一声孔,所述第一声孔设置在所述屏蔽外壳上,用于传递声音信号。

进一步的,第二声孔,所述第二声孔设置在所述基板上,用于传递声音信号。

进一步的,涂层,所述涂层设置在所述第一声孔的外部周围,并且覆盖在所述屏蔽外壳的表面,用于吸收光线。

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