[实用新型]一种温度检测装置

说明书

本实用新型实施例公开了一种温度检测装置，包括：信号读取处理芯片、以及包括至少一个传感像素单元的温度传感芯片，信号读取处理芯片和温度传感芯片通过键合层键合；通过将信号读取处理芯片和温度传感芯片利用键合层进行键合，使得温度检测装置的制备工艺更加简单，具有批量化生产、成本低、成品率高的优点。

技术领域

本实用新型实施例涉及温度检测技术领域，尤其涉及一种温度检测装置。

背景技术

非接触测温传感器在冶金、医疗、电力、汽车等各种行业的应用极为广泛。

现有技术中，非接触测温传感器中的大部分为点测温传感器，不能全面反映目标物体表面温度和热流变化情况，造成温度测量不准确，温度探测灵敏度低。非接触测温传感器还包括少部分面测温传感器，例如焦平面阵列传感器，但是现有面测温传感器制备工艺复杂，制备成本高。

实用新型内容

本实用新型提供一种温度检测装置，以实现简化制备工艺，降低成本，提高温度检测装置的检测精度和灵敏度。

本实用新型实施例提供了一种温度检测装置，包括：信号读取处理芯片、以及包括至少一个传感像素单元的温度传感芯片，信号读取处理芯片和温度传感芯片通过键合层键合。

其中，传感像素单元包括第一温度吸收子单元、第一温度敏感子单元和第一传导子单元，第一温度敏感子单元与第一温度吸收子单元接触，第一温度敏感子单元依次通过第一传导子单元和键合层与信号读取处理芯片电连接。

其中，第一温度吸收子单元包括第一上层金属、第一下层金属以及第一介质层，第一下层金属设置于第一介质层和信号读取处理芯片之间；第一上层金属阵列排布于第一介质层面向或背离第一下层金属一侧的表面，或者第一上层金属嵌入第一介质层中，并在第一介质层中阵列排布。

其中，第一介质层包括由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅中的一种或多种形成的至少一层第一子介质层。

其中，第一介质层还包括真空介质形成的第二子介质层，第二子介质层设置于第一子介质层与第一下层金属之间。

其中，第一温度敏感子单元与第一上层金属设置于第一子介质层的同侧或异侧，或者第一温度敏感子单元嵌入到第一子介质层中，第一上层金属包围第一温度敏感子单元。

其中，温度传感芯片还包括参考像素单元，参考像素单元包括第二温度吸收子单元、第二传导子单元和第二温度敏感子单元，第二温度敏感子单元与第二温度吸收子单元接触，第二温度敏感子单元依次通过第二传导子单元和键合层与信号读取处理芯片电连接；

其中，第二温度吸收子单元的热吸收率小于第一温度吸收子单元的热吸收率。

其中，第二温度吸收子单元包括第二介质层，第二温度敏感子单元设置于第二介质层的面向或背离信号读取处理芯片一侧的表面，或者第二温度敏感子单元嵌入在第二介质层中。

其中，第二介质层中沉积有金属层。

其中，第二介质层背离信号读取处理芯片一侧表面的面积小于第一介质层背离信号读取处理芯片一侧表面的面积。

其中，第二温度吸收子单元还包括第二上层金属，

第二上层金属阵列排布于第二介质层面向或背离信号读取处理芯片一侧的表面；

或者第二上层金属为面状，平铺于第二介质层面向或背离信号读取处理芯片一侧的表面。

其中，第二温度吸收子单元还包括第二下层金属，第二下层金属设置于第二介质层和信号读取处理芯片之间。

其中，第一温度敏感子单元包括第一端和第二端，第一传导子单元至少包括与第一温度敏感子单元第一端电连接的第一传导梁和与第一温度敏感子单元第二端电连接的第二传导梁，第一传导梁和第二传导梁通过键合层与信号读取处理芯片键合；