[实用新型]一种温度检测装置

权利要求书

1.一种温度检测装置，其特征在于，包括：信号读取处理芯片、以及包括至少一个传感像素单元的温度传感芯片，所述信号读取处理芯片和所述温度传感芯片通过键合层键合。

2.根据权利要求1所述的温度检测装置，其特征在于，所述传感像素单元包括第一温度吸收子单元、第一温度敏感子单元和第一传导子单元，所述第一温度敏感子单元与所述第一温度吸收子单元接触，所述第一温度敏感子单元依次通过所述第一传导子单元和所述键合层与所述信号读取处理芯片电连接。

3.根据权利要求2所述的温度检测装置，其特征在于，所述第一温度吸收子单元包括第一上层金属、第一下层金属以及第一介质层，所述第一下层金属设置于所述第一介质层和所述信号读取处理芯片之间；所述第一上层金属阵列排布于所述第一介质层面向或背离所述第一下层金属一侧的表面，或者所述第一上层金属嵌入所述第一介质层中，并在所述第一介质层中阵列排布。

4.根据权利要求3所述的温度检测装置，其特征在于，所述第一介质层包括由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅中的一种或多种形成的至少一层第一子介质层。

5.根据权利要求4所述的温度检测装置，其特征在于，所述第一介质层还包括真空介质形成的第二子介质层，所述第二子介质层设置于所述第一子介质层与所述第一下层金属之间。

6.根据权利要求4所述的温度检测装置，其特征在于，所述第一温度敏感子单元与所述第一上层金属设置于所述第一子介质层的同侧或异侧，或者所述第一温度敏感子单元嵌入到所述第一子介质层中，所述第一上层金属包围所述第一温度敏感子单元。

7.根据权利要求3所述的温度检测装置，其特征在于，所述温度传感芯片还包括参考像素单元，所述参考像素单元包括第二温度吸收子单元、第二传导子单元和第二温度敏感子单元，所述第二温度敏感子单元与所述第二温度吸收子单元接触，所述第二温度敏感子单元依次通过所述第二传导子单元和所述键合层与所述信号读取处理芯片电连接；

其中，所述第二温度吸收子单元的热吸收率小于所述第一温度吸收子单元的热吸收率。

8.根据权利要求7所述的温度检测装置，其特征在于，所述第二温度吸收子单元包括第二介质层，所述第二温度敏感子单元设置于所述第二介质层的面向或背离所述信号读取处理芯片一侧的表面，或者所述第二温度敏感子单元嵌入在所述第二介质层中。

9.根据权利要求8所述的温度检测装置，其特征在于，所述第二介质层中沉积有金属层。

10.根据权利要求8所述的温度检测装置，其特征在于，所述第二介质层背离所述信号读取处理芯片一侧表面的面积小于第一介质层背离所述信号读取处理芯片一侧表面的面积。

11.根据权利要求8所述的温度检测装置，其特征在于，所述第二温度吸收子单元还包括第二上层金属，

所述第二上层金属阵列排布于所述第二介质层面向或背离所述信号读取处理芯片一侧的表面；

或者所述第二上层金属为面状，平铺于所述第二介质层面向或背离所述信号读取处理芯片一侧的表面。

12.根据权利要求8所述的温度检测装置，其特征在于，所述第二温度吸收子单元还包括第二下层金属，所述第二下层金属设置于所述第二介质层和所述信号读取处理芯片之间。