[实用新型]蒸发台坩埚装置及蒸发台系统

说明书

本实用新型涉及半导体器件芯片制造技术领域，公开了一种蒸发台坩埚装置及蒸发台系统，具体的，蒸发台坩埚装置包括基板、两坩埚磁极臂、挡板驱动器、挡板驱动器固定架、两电子枪保护组件以及坩埚；两电子枪保护组件分别设置在坩埚的第一端的两侧，挡板驱动器固定架设置在坩埚的第二端，挡板驱动器设置在挡板驱动器固定架远离所述坩埚的一端；基板上设置有电子枪固定组件，电子枪固定组件用于固定电子枪，坩埚的置物孔的口径为40mm‑80mm。本实用新型能够在蒸发过程中提升速率，减少崩源，延长坩埚使用寿命，提升产品质量，提高产能。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件芯片制造技术领域，尤其是涉及一种蒸发台坩埚装置及蒸发台系统。

背景技术

蒸发工序最重要的就是金属源的洁净，因此放置金属源的坩埚就尤为重要。

型号为MARK-50的蒸发台铝埚是半导体加工工艺中蒸发工序经常用到的设备。现有MARK-50蒸发台原装坩埚结构，由于受其安装空间的限制，坩埚的容量较小，一般坩埚的为直径20mm。这种坩埚由于容量小，电子束在坩埚内占的体积就相对较大，在长时间蒸发过程中电子束容易打到坩埚周围的杂质产生崩源现象，坩埚边沿的杂质也容易随着源蒸发到芯片上对芯片质量产生影响，长时间使用坩埚的电子枪枪口位置非常容易产生豁口导致坩埚漏水，需要定期频繁更换。同时，由于坩埚容量有限，坩埚内金属的蒸发速率一般为在芯片上蒸发的厚度时，大约需要30分钟，整个蒸发工序的操作时间长。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种蒸发台坩埚装置，以解决现有技术中存在的坩埚结构受安装空间的限制，导致坩埚容量较小，蒸发过程中电子束容易打到坩埚周围的杂质产生崩源现象的技术问题。

本实用新型的目的还在于提供一种蒸发台系统，以解决现有技术中存在的坩埚结构受安装空间的限制，导致坩埚容量较小，蒸发过程中电子束容易打到坩埚周围的杂质产生崩源现象的技术问题。

基于上述第一目的，本实用新型提供了一种蒸发台坩埚装置，所述坩埚装置包括基板、两个坩埚磁极臂、挡板驱动器、挡板驱动器固定架、两个电子枪保护组件以及坩埚；

两个所述坩埚磁极臂分别连接设置在所述基板的两侧，在所述基板的上方，两个所述坩埚磁极臂之间形成容置所述坩埚的空隙，所述坩埚支撑设置在两个所述坩埚磁极臂上；

两个所述电子枪保护组件分别设置在所述坩埚的第一端的两侧，所述挡板驱动器固定架设置在所述坩埚的第二端，所述挡板驱动器设置在所述挡板驱动器固定架远离所述坩埚的一端；

所述基板上设置有电子枪固定组件，所述电子枪固定组件用于固定电子枪，所述坩埚的置物孔的口径为40mm-80mm。

进一步地，所述坩埚装置还包括底板，所述底板设置在所述基板的下方；

所述电子枪保护组件以及所述挡板驱动器固定架分别固定在所述底板的两端。

进一步地，所述底板对应所述坩埚的第一端的两侧分别设置有第一支撑柱，所述电子枪保护组件设置在所述第一支撑柱上。

进一步地，所述挡板驱动器固定架包括支撑板和两第二支撑柱，两所述第二支撑柱分别固定在所述底板对应所述坩埚的第二端的两侧，所述支撑板固定两所述第二支撑柱上。

进一步地，所述坩埚装置还包括坩埚扫描线圈，所述坩埚扫描线圈设置在所述坩埚的第一端的端部上。

进一步地，所述坩埚装置包括腔室衬板，所述腔室衬板设置在所述坩埚的上方，且所述腔室衬板对应所述坩埚的置物孔的位置设置有开孔，所述开孔与所述坩埚的置物孔适配。

进一步地，所述坩埚装置还包括挡圈，所述挡圈设置在所述腔室衬板的开孔内，且所述挡圈对应设置在所述坩埚的置物孔的周向外侧上。