[实用新型]IGBT结构

说明书

本实用新型IGBT结构，包括散热结构以及设置在所述散热结构上的IGBT模组；其中所述IGBT模组包括：铝基板，所述铝基板设置在所述散热结构上；功率板，所述功率板设置在所述铝基板上方；驱动中板，所述驱动中板设置在所述功率板上方；IGBT，所述IGBT设置在所述铝基板上，所述IGBT位于所述铝基板与所述之间，所述IGBT的管脚分别与所述功率板及所述驱动中板连接；驱动顶板，所述驱动顶板通过排针固定在所述驱动中板的上方。与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：1)线性排列的结构使得结构层次分明，提高空间的利用率，避免了空间资源的浪费。2)充分利用IGBT单管的散热面积，使IGBT单管产生的热量及时出。3)绝缘垫片的使用增强了IGBT模组的可靠性能。

技术领域

本实用新型涉及电力电子领域，具体涉及到一种IGBT结构。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。

IGBT作为广泛运用于各种电力电子设备上的一种复合全控型电压驱动式功率半导体元器件，人们对IGBT的性能要求也越来越高。IGBT承载更大电流的同时，它产生的热量也越来越大。因此IGBT的散热及电器连接方法显得尤为重要。

实用新型内容

针对现有技术中的缺陷，本实用新型的目的是提供一种IGBT结构。

为解决上述技术问题，本实用新型IGBT结构，包括散热结构以及设置在所述散热结构上的IGBT模组；其中所述IGBT模组包括：铝基板，所述铝基板设置在所述散热结构上；功率板，所述功率板设置在所述铝基板上方；驱动中板，所述驱动中板设置在所述功率板上方；IGBT，所述IGBT设置在所述铝基板上，所述IGBT位于所述铝基板与所述之间，所述IGBT的管脚分别与所述功率板及所述驱动中板连接；驱动顶板，所述驱动顶板通过排针固定在所述驱动中板的上方。

优选地，所述IGBT的强电管脚与所述功率板连接。

优选地，所述IGBT的弱电管脚与所述驱动中板连接。

优选地，在所述铝基板与所述散热结构之间设有导热膏。

优选地，所述铝基板通过螺钉固定在所述散热结构上。

优选地，在所述铝基板与所述螺钉之间设有绝缘垫片。

优选地，在所述功率板上设有功率连接板。

优选地，在所述功率板上设有继电器板。

优选地，在所述功率板通过贴片螺母与所述继电器板连接。

优选地，所述IGBT模组的数量为多个，多个所述IGBT模组间隔设置。

与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：

1)线性排列的结构使得结构层次分明，提高空间的利用率，避免了空间资源的浪费。

2)充分利用IGBT单管的散热面积，使IGBT单管产生的热量及时出。

3)绝缘垫片的使用增强了IGBT模组的可靠性能。