[实用新型]晶圆承载装置及曝光设备

说明书

本公开提供了一种晶圆承载装置及曝光设备，属于光刻设备技术领域。该晶圆承载装置包括反射镜块、晶圆台和负压组件；其中，反射镜块具有承载表面和清洁通道；所述承载表面设置有清洁开口，且所述清洁开口与所述清洁通道连通；晶圆台设于所述承载表面，且设有支撑销孔；负压组件与所述清洁通道连接，用于向所述清洁开口提供负压。本公开的晶圆承载装置及曝光设备，能够提高晶圆台的平坦度，提高半导体器件的良率。

技术领域

本公开涉及光刻设备技术领域，尤其涉及一种晶圆承载装置及曝光设备。

背景技术

在半导体制备过程中，晶圆(wafer)需要固定在晶圆承载装置上。

晶圆承载装置包括承载晶圆的晶圆台和承载晶圆台的反射镜块(mirror block)，晶圆台通过多个固定件固定在反射镜块上。晶圆台与反射镜块之间不能绝对吸合，因此微尘等颗粒物容易积附于两者之间的缝隙中，导致晶圆台的平坦性降低，进而导致设于晶圆台上的晶圆平坦性下降，降低了半导体器件的良率。

所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

本公开的目的在于提供一种晶圆承载装置及曝光设备，用于提高晶圆台的平坦度，提高半导体器件的良率。

为实现上述实用新型目的，本公开采用如下技术方案：

根据本公开的第一个方面，提供一种晶圆承载装置，包括：

反射镜块，具有承载表面和清洁通道；所述承载表面设置有清洁开口，且所述清洁开口与所述清洁通道连通；

晶圆台，设于所述承载表面，且设有支撑销孔；

负压组件，与所述清洁通道连接，用于向所述清洁开口提供负压。

在本公开的一种示例性实施例中，所述清洁开口包括第一清洁开口，且所述第一清洁开口与所述晶圆台在所述承载表面的正投影至少部分重合。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一清洁开口的数量为多个，多个所述第一清洁开口沿所述晶圆台在所述承载表面的正投影的边缘设置。

在本公开的一种示例性实施例中，每一个所述第一清洁开口设于所述晶圆台在所述承载表面的正投影内，且每一个所述第一清洁开口的边缘与所述晶圆台在所述承载表面的正投影的边缘之间的最小距离为0～1mm。

在本公开的一种示例性实施例中，所述清洁开口包括第二清洁开口，且所述第二清洁开口与所述支撑销孔在所述承载表面的正投影至多部分重合。

在本公开的一种示例性实施例中，所述支撑销孔的数量为多个，且沿任一所述支撑销孔在所述承载表面的正投影的边缘设置有多个所述第二清洁开口。

在本公开的一种示例性实施例中，每个所述第二清洁开口位于所述支撑销孔在所述承载表面的正投影以外；

沿任一所述支撑销孔在所述承载表面的正投影的边缘设置的任一所述第二清洁开口，与同一所述支撑销孔在所述承载表面的正投影的边缘的最小距离为0～1mm。

在本公开的一种示例性实施例中，所述清洁开口的数量为多个，任一所述清洁开口与最近的所述清洁开口的最小距离为0.5～1.5mm。

在本公开的一种示例性实施例中，所述清洁开口为直径为0.5～1.5mm的圆形。

在本公开的一种示例性实施例中，所述晶圆承载装置还包括：

第一电磁阀，具有第一开口、第二开口和控制端，且所述第一电磁阀的第一开口与所述负压组件的负压出口连接；

第一连接管路，连接所述清洁通道和所述第一电磁阀的第二开口；