[实用新型]一种金属层包覆陶瓷环的陶瓷框架结构

说明书

本实用新型涉及一种金属层包覆陶瓷环的陶瓷框架结构，它包括铜钼合金法兰层(1)、陶瓷环(4)和框架管脚(7)，所述陶瓷环(4)顶面及侧壁上形成包覆金属层(8)，所述陶瓷环(4)底面形成下层金属层(3)，所述包覆金属层(8)与陶瓷环(4)底面的下层金属层(3)不接触，所述铜钼合金法兰层(1)通过下层金属焊料(2)与陶瓷环(4)底面的下层金属层(3)结合，所述框架管脚(7)通过上层金属焊料(6)与陶瓷环(4)上的包覆金属层(8)结合。本实用新型一种金属层包覆陶瓷环的陶瓷框架结构，它能够避免金属焊料溢出流淌后与陶瓷环侧壁直接接触，抑制焊料中Ag离子迁移到铜钼层法兰处发生的短路问题。

技术领域

本实用新型涉及一种金属层包覆陶瓷环的陶瓷框架结构，属于半导体封装技术领域。

背景技术

现有陶瓷框架结构如图1所示，铜钼合金法兰层1与框架管脚7中间间隔不导电的陶瓷环4组装成一个可以内置芯片的陶瓷框架结构，陶瓷环4与铜钼合金法兰层1、陶瓷环4与框架管脚7之间通过焊料结合。陶瓷环材料与焊料的结合性很差，需要在陶瓷环顶面与底面与焊料结合处形成与焊料易结合的金属层。

如上陶瓷框架目前还存在技术缺陷，在高温环境下焊料容易从陶瓷环4与铜钼合金法兰层1、陶瓷环4与框架管脚7之间结合处两侧溢出，容易发生流淌并溢出到陶瓷环4侧壁上，由于陶瓷环与金属焊料的结合性很差，焊料中Ag离子从陶瓷环4与框架管脚7结合处顺着侧壁迁移到铜钼合金法兰层1处，进而导致管脚与法兰发生连接而短路，造成器件电性失效。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种金属层包覆陶瓷环的陶瓷框架结构，它能够避免金属焊料溢出流淌后与陶瓷环侧壁直接接触，抑制焊料中Ag离子迁移到铜钼层法兰处发生的短路问题。

本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为：一种金属层包覆陶瓷环的陶瓷框架结构，它包括铜钼合金法兰层、陶瓷环和框架管脚，所述陶瓷环顶面及侧壁上形成包覆金属层，所述陶瓷环底面形成下层金属层，所述包覆金属层与陶瓷环底面的下层金属层不接触，所述铜钼合金法兰层通过下层金属焊料与陶瓷环底面的下层金属层结合，所述框架管脚通过上层金属焊料与陶瓷环上的包覆金属层结合。

优选的，所述下层金属层覆满整个陶瓷环底面，所述陶瓷环侧壁上的包覆金属层未覆盖陶瓷环侧壁下边缘。

优选的，所述包覆金属层在上层金属焊料外缘位置处设置有环形凹槽。

优选的，所述包覆金属层顶面外缘位置处设置有环形台阶。

优选的，所述陶瓷环侧壁上的包覆金属层未覆盖陶瓷环侧壁下边缘，所述下层金属层未覆盖陶瓷环底面边缘。

优选的，所述陶瓷环侧壁上的包覆金属层覆盖至陶瓷环侧壁下边缘，所述下层金属层未覆盖陶瓷环底面边缘。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：

1、本实用新型通过包覆金属层包覆陶瓷环顶面及侧壁，借由包覆金属层与焊料结合性强的特性，可以使溢出的焊料与陶瓷环侧壁结合，抑制焊料流淌，抑制焊料中Ag离子迁移到铜钼层法兰1处发生短路问题，进一步提升了产品的电性品质，保证了陶瓷封装框架的电性可靠性；

2、本实用新型借由包覆金属层形成的环形凹槽、环形台阶容置部分溢出焊料，进一步限制焊料流淌到侧壁，避免短路风险。

附图说明

图1为现有陶瓷框架结构的示意图。

图2为本实用新型一种金属层包覆陶瓷环的陶瓷框架结构实施例1的示意图。

图3为本实用新型一种金属层包覆陶瓷环的陶瓷框架结构实施例2的示意图。

图4为本实用新型一种金属层包覆陶瓷环的陶瓷框架结构实施例3的示意图。