[实用新型]一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管

说明书

本实用新型提供了一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管，解决了现有金氧半场效晶体管在应用于高压或高速切换频率时，制作成本高，增加漏电流，降低金氧半场效晶体管的稳定性，产品的结构复杂，产品体积大且良率低的问题。本实用新型包括基板，所述基板的上表面设置有磊晶层，所述磊晶层上形成有第一介电层，所述第一介电层的部分表面形成有至少一个闸极，未被闸极覆盖的所述磊晶层上掺杂形成有至少一个本体，所述本体的部分区域掺杂形成有至少一个源极区，所述第一介电层和所述闸极上形成有第二介电层，所述第二介电层上设置有源极，所述基板、磊晶层、本体及源极区均为半导体。本实用新型具有排除累计电荷快，产品构造简单及体积小等优点。

技术领域

本实用新型涉及晶体管领域，具体涉及一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管。

背景技术

金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)被广泛的使用在模拟电路与数字电路中。金氧半场效晶体管依照其通道极性的不同，可分为电子占多数的N信道型与电洞占多数的P信道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管(NMOSFET)与P型金氧半场效晶体管(PMOSFET)。

当金氧半场效晶体管有高速切换需求时，通常会选择以下两种方式来满足要求：一种是以贵重金属制作源极，或者是以电子或质子的离子注入基板，以快速排除累积电荷。但如此一来不仅会增加金氧半场效晶体管的制作成本，同时还会增加漏电流，进而降低了金氧半场效晶体管的稳定性。另一种是在金氧半场效晶体管封装时将萧特基二极管并接源极和汲极后再封装一起，以减少排除晶体管切换时于体二极管(Body-diode)累积的少数载子的时间，进而提高切换的频率，减少切换的功率损失，但是这样使得产品的结构复杂并且增加了产品的体积。

因此，开发一种既能低成本快速排除累计电荷又能简化产品结构和体积的晶体管在高压或高速切换频率方面的应用具有极其重要的意义。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：现有金氧半场效晶体管在应用于高压或高速切换频率时，一方面制作成本高，会增加漏电流，降低金氧半场效晶体管的稳定性，另一方面产品的结构复杂，产品体积大且良率低。

本实用新型提供了解决上述技术问题的一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管。

本实用新型通过下述技术方案实现：

一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管，包括基板，所述基板的上表面设置有磊晶层，所述磊晶层上形成有第一介电层，所述第一介电层的部分表面形成有至少一个闸极，未被闸极覆盖的所述磊晶层上掺杂形成有至少一个本体，所述本体的部分区域掺杂形成有至少一个源极区，所述第一介电层和所述闸极上形成有第二介电层，所述第二介电层上设置有源极，所述基板、磊晶层、本体及源极区为半导体材料。

所述源极连接所述源极区与所述本体。

本实用新型优选一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管，所述第二介电层上部分区域刻蚀形成有延伸至与所述本体和所述源极区接触的凹槽，所述第二介电层和凹槽上设置有所述源极。

具体地，在所述基板的上表面形成所述磊晶层；在磊晶层的上表面形成一第一介电层；在第一介电层上形成一导电层，并对导电层进行蚀刻，以在第一介电层的部分表面上形成至少一个闸极；对未被闸极覆盖的磊晶层进行掺杂，并于磊晶层上形成至少一个本体；在本体的部分区域上形成至少一个光阻，并对未被光阻覆盖的本体进行掺杂，以在本体的部分区域上形成至少一个源极区；移除光阻，并在第一介电层与门极上形成一第二介电层；在第二介电层上定义一蚀刻区域，并蚀刻蚀刻区域内的第二介电层及第一介电层，其中蚀刻区域位于部分的本体及部分的源极区的垂直延伸位置；蚀刻蚀刻区域内的部分本体及源极区，并在本体上形成凹槽，使得本体及源极区裸露；及在第二介电层及凹槽上设置一金属层，并使得金属层接触凹槽内的本体及源极区，所述金属层即为源极。