[实用新型]一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管有效
| 申请号： | 201920251219.7 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN209199945U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 叶荣辉 | 申请（专利权）人： | 四川美阔电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/47;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 张严芳 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市经济技术开发区玉龙*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介电层 磊晶层 本实用新型 基板 闸极 金氧半场效晶体管 肖特基二极管 场效晶体管 平面型 源极区 表面形成 产品构造 高速切换 区域掺杂 电荷 漏电流 上表面 体积小 良率 源极 半导体 掺杂 覆盖 制作 应用 | ||
1.一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管，其特征在于，包括基板(11)，所述基板(11)的上表面设置有磊晶层(13)，所述磊晶层(13)上形成有第一介电层(171)，所述第一介电层(171)的部分表面形成有至少一个闸极(16)，未被闸极(16)覆盖的所述磊晶层(13)上掺杂形成有至少一个本体(14)，所述本体(14)的部分区域掺杂形成有至少一个源极区(15)，所述第一介电层(171)和所述闸极(16)上形成有第二介电层(173)，所述第二介电层(173)上设置有源极(18)，所述基板(11)、磊晶层(13)、本体(14)及源极区(15)均为半导体材料。
2.根据权利要求1所述的一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管，其特征在于，所述源极(18)连接所述源极区(15)与所述本体(14)。
3.根据权利要求1或2所述的一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管，其特征在于，所述第二介电层(173)上部分区域刻蚀形成有延伸至与所述本体(14)和所述源极区(15)接触的凹槽，所述第二介电层(173)和凹槽上设置有所述源极(18)。
4.根据权利要求1或2所述的一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管，其特征在于，所述源极(18)为金属材料。
5.根据权利要求1或2所述的一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管，其特征在于，所述源极(18)与所述本体(14)之间形成肖特基接触。
6.根据权利要求1或2所述的一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管，其特征在于，所述源极(18)与所述源极区(15)的连接接口，及所述源极(18)与所述本体(14)的连接接口低于闸极(16)的设置位置。
7.根据权利要求1或2所述的一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管，其特征在于，所述源极(18)未穿透本体(14)且并未接触磊晶层(13)。
8.根据权利要求1或2所述的一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管，其特征在于，所述基板(11)的下表面还设置有汲极(12)。
9.根据权利要求1或2所述的一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管，其特征在于，所述源极(18)上表面还设置有保护层(19)。
10.根据权利要求1或2所述的一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管，其特征在于，所述基板(11)是N+型半导体、所述磊晶层(13)为N-型半导体、所述本体(14)为P-型半导体、所述源极区(15)则为N+型半导体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川美阔电子科技有限公司，未经四川美阔电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920251219.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件
- 下一篇：照明用LED电源的整流二极管
- 同类专利
- 专利分类
