[实用新型]一种半导体发光元件

说明书

一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，半导体发光序列包括第一类型导电性半导体层、第二类型导电性半导体层和两者之间的发光层；具有与第一类型导电性半导体层电性连接的第一电极，与第二类型导电性半导体层电性连接的第二电极；其中第一类型导电性半导体层位于出光侧，所述第一类型导电性半导体层包括铝镓铟磷窗口层，铝镓铟磷窗口层作为第一电极接触的欧姆接触层并提供出光表面。

技术领域

涉及一种具有透明窗口层和欧姆接触层的半导体发光元件。

背景技术

在LED领域中，随着显示应用领域的需求，一种将原本发光二极体晶片的尺寸减小而获得的微型发光二极体(micro-LED)的新技术发展出来。当应用于在显示技术的领域中，以红、蓝、绿的微型发光二极体晶片当作显示子像素，将这些多个可独立发光的微型发光二极体晶片排列成显示画面的显示技术，即为微型发光二极体显示器的技术。

但是传统的大尺寸的红光或四元发光二极管，砷化镓常作为N侧电极窗口层或磷化镓作为P侧窗口层在出光侧会吸光，导致光损失，并且随着尺寸的降低这种吸光效应对于发光效率的影响更严重。

实用新型内容

为了降低吸光效率，提高出光效率，本实用新型提供如下一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，半导体发光序列包括第一类型导电性半导体层、第二类型导电性半导体层和两者之间的发光层；具有与第一类型导电性半导体层电性连接的第一电极，与第二类型导电性半导体层电性连接的第二电极；

其中第一类型导电性半导体层位于出光侧，所述第一类型导电性半导体层包括窗口层，所述的窗口层为铝镓铟磷，窗口层作为第一电极接触的欧姆接触层并提供出光表面。

更优选，所述的窗口层为铝镓铟磷，窗口层铝镓铟磷为Alx1Ga(1-x1)InP，x1的取值介于0.5~1。

更优选，所述的半导体发光元件的第一电极和第二电极在同侧或相反侧。

更优选，所述的出光侧与第一电极同侧或相反侧。

更优选，所述的窗口层Alx1Ga(1-x1)InP，x1的取值介于0.6~0.8。

更优选的，窗口层为出光侧最外层，表面可被不平整处理。

更优选的，所述的窗口层的厚度为2~6μm。

更优选的，窗口层的掺杂浓度是在厚度方向上均匀或不均匀的。

更优选的，所述的半导体发光序列的尺寸介于0~100μm。

更优选的，所述半导体发光元件的一侧具有透明永久衬底。

更优选的，所述的半导体发光元件的半导体发光序列的尺寸介于100~300μm。

更优选的，所述的窗口层的掺杂浓度为1E18以上。

更优选的，透明永久衬底与窗口层之间具有透明键合层。

更优选的，透明键合层为导电氧化物或绝缘层，绝缘层为氮化物或氧化物。

更优选的，所述的半导体发光元件的发光波长为550~950nm。

更优选的，其中第一类型导电性半导体层或第二类型导电性半导体层为N型或P型掺杂中任意一种。

更优选的，第一电极包括与窗口层接触并扩散至窗口层的金属，该金属在窗口层一侧的厚度为1~50nm。

更优选的，第一电极与窗口层接触并扩散至窗口层的金属为金，该金属在窗口层一侧的厚度为5~20nm。

更优选的，其中第二类型导电性半导体层包括另一窗口层与第二电极接触；所述的另一窗口层为Alx2Ga(1-x2)InP，x2的取值介于0.5~1。