[实用新型]一种半导体发光元件有效
| 申请号： | 201920242200.6 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN209374473U | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 蔡景元;蒙成;郭桓邵;吴俊毅 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/30;H01L33/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电性半导体层 半导体发光元件 第一电极 电性连接 发光序列 铝镓铟磷 窗口层 半导体 欧姆接触层 出光表面 第二电极 发光层 | ||
1.一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，半导体发光序列包括第一类型导电性半导体层、第二类型导电性半导体层和两者之间的发光层；具有与第一类型导电性半导体层电性连接的第一电极，与第二类型导电性半导体层电性连接的第二电极；
其中所述第一类型导电性半导体层包括铝镓铟磷窗口层，铝镓铟磷窗口层作为第一电极接触的欧姆接触层并提供出光表面。
2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述的铝镓铟磷窗口层为Alx1Ga(1-x1)InP，x1介于0.5~1。
3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述的半导体发光元件的第一电极和第二电极在同侧或相反侧。
4.根据权利要求1或3所述的半导体发光元件，其特征在于：所述的出光侧与第一电极同侧或相反侧。
5.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于：所述的窗口层Alx1Ga(1-x1)InP，x1的取值介于0.6~0.8。
6.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：窗口层表面被不平整处理。
7.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述的窗口层的厚度为2~6μm。
8.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：窗口层的掺杂浓度是在厚度方向上均匀或不均匀的。
9.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述的半导体发光序列的尺寸介于1~100μm。
10.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述半导体发光元件的一侧具有透明永久衬底，透明永久衬底与第一电极和第二电极处于相反侧。
11.根据权利要求10所述的半导体发光元件，其特征在于：所述的半导体发光元件的半导体发光序列的尺寸介于100~300μm。
12.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述的窗口层的掺杂浓度为1E18以上。
13.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述的窗口层的厚度为2.5~3.5μm。
14.根据权利要求12所述的半导体发光元件，其特征在于：透明键合层为导电氧化物或绝缘层，绝缘层为氮化物或氧化物。
15.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述的半导体发光元件的发光波长为550~950nm。
16.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：其中第一类型导电性半导体层或第二类型导电性半导体层为N型或P型掺杂中任意一种。
17.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：第一电极包括与窗口层接触并扩散至窗口层的金属，该金属在窗口层一侧的厚度为1~50nm。
18.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：第一电极与窗口层接触并扩散至窗口层的金属为金，该金属在窗口层一侧的厚度为5~20nm。
19.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：其中第二类型导电性半导体层包括另一窗口层与第二电极接触；所述的另一窗口层也为铝镓铟磷。
20.根据权利要求19所述的半导体发光元件，其特征在于：所述的另一窗口层铝镓铟磷为Alx2Ga(1-x2)InP，x2介于0.5~1。
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