[实用新型]一种钝化接触结构及太阳能电池

说明书

本申请公开了一种钝化接触结构及太阳能电池，所述钝化接触结构包括基底，所述基底的第一表面区域上设置所述第一掺杂层，所述第一掺杂层背离所述基底的表面至少局部区域上设置所述钝化隧穿层，所述钝化隧穿层背离所述第一掺杂层的表面局部区域上设置所述掺杂膜层，所述第一掺杂层、所述掺杂膜层和所述钝化隧穿层表面共同形成的区域上设置所述第一介质膜层；所述第一电极穿过所述第一介质膜层与所述掺杂膜层接触。将第一掺杂层与第一电极分开，可以有效的屏蔽第一电极的高复合作用，显著地降低表面复合，给电池提供良好的表面钝化，从而提高太阳电池的转换效率。

技术领域

本实用新型一般涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种钝化接触结构及太阳能电池。

背景技术

目前的太阳电池片结构均是在太阳电池的表面制备一层掺杂层，然后再在其上制备介质膜层及金属电极。在这种情况下，金属电极和掺杂层接触的区域直接接触。通常情况下由于金属和半导体接触形成了载流子复合中心，造成太阳电池载流子的复合速率极高，影响钝化性能，从而造成电池性能的大幅下降。因此需要有较好的办法降低金属复合对钝化带来的影响。

实用新型内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种钝化接触结构及太阳能电池。

为了克服现有技术的不足，本实用新型所提供的技术方案是：

一种钝化接触结构，其特殊之处在于：包括基底、第一掺杂层、钝化隧穿层、掺杂膜层、第一介质膜层和第一电极；

所述基底的第一表面区域上设置所述第一掺杂层；

所述第一掺杂层背离所述基底的表面至少局部区域上设置所述钝化隧穿层；

所述钝化隧穿层背离所述第一掺杂层的表面局部区域上设置所述掺杂膜层；

所述第一掺杂层、所述掺杂膜层和所述钝化隧穿层表面共同形成的区域上设置所述第一介质膜层；

所述第一电极穿过所述第一介质膜层与所述掺杂膜层接触。

进一步地，所述钝化隧穿层与所述第一掺杂层的面积大小相同，所述第一介质膜层设置于所述钝化隧穿层和所述掺杂膜层表面共同形成的区域上。

进一步地，所述钝化隧穿层与所述掺杂膜层的面积大小相同，所述第一介质膜层设置于所述第一掺杂层、所述钝化隧穿层和所述掺杂膜层的表面共同形成的区域上。

进一步地，所述掺杂膜层包括半导体材质和掺杂元素，所述半导体材质包括多晶硅和非晶硅中的一种或多种；所述掺杂元素包括第五主族元素或第三主族元素中的一种。

进一步地，所述掺杂元素的浓度大于1×10¹⁵个/cm³。

进一步地，所述掺杂膜层的厚度为5-300nm。

进一步地，所述钝化隧穿层包括氧化硅、氮氧化硅、非晶硅、氧化铝、氧化钛、氮化硅和碳化硅中的一种。

进一步地，所述钝化隧穿层的厚度为0.1-5nm。

进一步地，所述第一掺杂层的方块电阻为50ohm/sq-300ohm/sq。

第二方面，本实用新型还提供了一种太阳能电池，其特殊之处在于：包括第二介质膜层、第二电极和所述的钝化接触结构，所述基底的第二表面区域上设置所述第二介质膜层，所述第二电极穿过所述第二介质膜层与所述基底接触。

进一步地，所述钝化接触结构中的所述基底为p型硅基底，第一掺杂层为n型的掺杂层，掺杂膜层为n型的掺杂膜层。

进一步地，所述掺杂膜层包括半导体材质和掺杂元素，所述半导体材质包括多晶硅和非晶硅中的一种或多种；所述掺杂元素包括第五主族元素中的一种。