[实用新型]一种钝化接触结构及太阳能电池

权利要求书

1.一种钝化接触结构，其特征在于：包括基底、第一掺杂层、钝化隧穿层、掺杂膜层、第一介质膜层和第一电极；

所述基底的第一表面区域上设置所述第一掺杂层；

所述第一掺杂层背离所述基底的表面至少局部区域上设置所述钝化隧穿层；

所述钝化隧穿层背离所述第一掺杂层的表面局部区域上设置所述掺杂膜层；

所述第一掺杂层、所述掺杂膜层和所述钝化隧穿层表面共同形成的区域上设置所述第一介质膜层；

所述第一电极穿过所述第一介质膜层与所述掺杂膜层接触。

2.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于：

所述钝化隧穿层与所述第一掺杂层的面积大小相同，所述第一介质膜层设置于所述钝化隧穿层和所述掺杂膜层表面共同形成的区域上。

3.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于：

所述钝化隧穿层与所述掺杂膜层的面积大小相同，所述第一介质膜层设置于所述第一掺杂层、所述钝化隧穿层和所述掺杂膜层的表面共同形成的区域上。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的钝化接触结构，其特征在于：所述掺杂膜层包括半导体材质和掺杂元素，所述半导体材质包括多晶硅和非晶硅中的一种或多种；所述掺杂元素包括第五主族元素或第三主族元素中的一种。

5.根据权利要求4所述的钝化接触结构，其特征在于，所述掺杂元素的浓度大于1×10¹⁵个/cm³。

6.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述掺杂膜层的厚度为5-300nm。

7.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于：所述钝化隧穿层包括氧化硅、氮氧化硅、非晶硅、氧化铝、氧化钛、氮化硅和碳化硅中的一种。

8.根据权利要求1或7所述的钝化接触结构，其特征在于：所述钝化隧穿层的厚度为0.1-5nm。

9.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于：所述第一掺杂层的方块电阻为50ohm/sq-300ohm/sq。

10.一种太阳能电池，其特征在于：包括第二介质膜层、第二电极和权利要求1至9中任一项所述的钝化接触结构，所述基底的第二表面区域上设置所述第二介质膜层，所述第二电极穿过所述第二介质膜层与所述基底接触。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其特征在于：

所述钝化接触结构中的所述基底为p型硅基底，第一掺杂层为n型的掺杂层，掺杂膜层为n型的掺杂膜层。

12.根据权利要求11所述的太阳能电池，其特征在于：所述掺杂膜层包括半导体材质和掺杂元素，所述半导体材质包括多晶硅和非晶硅中的一种或多种；所述掺杂元素包括第五主族元素中的一种。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的太阳能电池，其特征在于：所述第一介质膜层和所述第二介质膜层均包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅中的一种或多种。

14.一种太阳能电池，其特征在于：包括第二掺杂层、第二介质膜层、第二电极和权利要求1至9中任一项所述的钝化接触结构，所述基底的第二表面区域上设置所述第二掺杂层，所述第二掺杂层上设置所述第二介质膜层，所述第二电极穿过所述第二介质膜层与所述第二掺杂层接触。