[实用新型]一种用于碳化硅器件的场限环结终端结构以及碳化硅器件有效
| 申请号： | 201920181119.1 | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN209658180U | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 朱继红;蔺增金;张志文 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L21/266 |
| 代理公司： | 11257 北京正理专利代理有限公司 | 代理人： | 张雪梅<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场限环 碳化硅器件 结深 环绕 本实用新型 结终端结构 功能区 正整数 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于碳化硅器件的场限环结终端结构，其特征在于，包括：
M个场限环，其中第1场限环环绕所述碳化硅器件的功能区，第m个场限环环绕第(m-1)个场限环；
其中第m个场限环的结深小于第(m-1)个场限环的结深，M、n为正整数，且2≤m≤M。
2.如权利要求1所述的场限环结终端结构，其特征在于，所述场限环为四面包围所述功能区、三面包围所述功能区或两面包围所述功能区。
3.如权利要求1所述的场限环结终端结构，其特征在于，
从所述第1场限环到所述第M场限环的结深从1μm逐渐降为0.1μm。
4.如权利要求1所述的场限环结终端结构，其特征在于，所述场限环之间彼此等间距或不等间距隔开。
5.如权利要求4所述的场限环结终端结构，其特征在于，所述间距为1μm～5μm。
6.一种碳化硅器件，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一项所述的场限环结终端结构。
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