[实用新型]新型防死机上电复位电路

权利要求书

1.一种新型防死机上电复位电路，其特征在于，包括一主MCU电路模块、连接于主MCU电路模块的一电源掉电检测电路模块、连接于主MCU电路模块的一复位MCU电路模块、及连接于主MCU电路模块与复位MCU电路模块之间的一复位信号整形电路模块，其中，该主MCU电路模块向复位MCU电路模块输出方波信号，且该复位MCU电路模块向复位信号整形电路模块输出方波信号。

2.根据权利要求1所述的新型防死机上电复位电路，其特征在于，所述主MCU电路模块包括一MCU芯片IC1、电阻R1、电容C1-C5与晶振X1，其中，该MCU芯片IC1的P00/AN0管脚连接至复位MCU电路模块，并向复位MCU电路模块输出方波信号；该MCU芯片IC1的SXIN管脚分别连接至晶振X1一端与电容C1一端，该MCU芯片IC1的SXOUT管脚分别连接至晶振X1另一端与电容C2一端，该电容C1另一端与电容C2另一端连接；该MCU芯片IC1的VDD管脚分别连接至电容C3一端与电容C4一端，该MCU芯片IC1的VSS管脚分别连接至电容C3另一端与电容C4另一端；该MCU芯片IC1的P21管脚连接至电源掉电检测电路模块；该MCU芯片IC1的RST管脚连接至电阻R1一端，该电阻R1另一端分别连接至电容C5与复位信号整形电路模块。

3.根据权利要求1所述的新型防死机上电复位电路，其特征在于，所述电源掉电检测电路模块包括电阻R2-R5、电容C6、电容C7与三极管Q1，其中，该三极管Q1的基极分别连接至电阻R4一端与电阻R5一端，该三极管Q1的发射极分别连接至电阻R5另一端与电容C7一端，该三极管Q1的集电极分别连接至电阻R3一端、电容C7另一端与电阻R2一端，该电阻R3另一端连接至电阻R4另一端；该电阻R2另一端分别连接至电容C6与主MCU电路模块。

4.根据权利要求1所述的新型防死机上电复位电路，其特征在于，所述复位MCU电路模块包括MCU芯片IC2、电阻R6、电容C8与电容C9，其中，该MCU芯片IC2的P2.2管脚连接至电阻R6一端，该电阻R6另一端分别连接至电容C8与主MCU电路模块，并接收由主MCU电路模块输出的方波信号；该MCU芯片IC2的VDD管脚连接至电容C9；该MCU芯片IC2的P2.0管脚连接至复位信号整形电路模块，并向复位信号整形电路模块输出方波信号。

5.根据权利要求1所述的新型防死机上电复位电路，其特征在于，所述复位信号整形电路模块包括电阻R7-R12、电容C10-C12、三极管Q2与三极管Q3，其中，该三极管Q2的基极分别连接至电阻R8一端与电容C11一端，该电阻R8另一端连接至三极管Q2的发射极，该电容C11另一端连接至电阻R7一端，该电阻R7另一端分别连接至电容C10一端与复位MCU电路模块，该电容C10另一端接地；该三极管Q2的集电极连接至电阻R9一端，该电阻R9另一端分别连接至电容C12一端、电阻R10一端与电阻R11一端，该电阻R10另一端分别连接至电容C12另一端与地端；该电阻R11另一端连接至三极管Q3的基极，该三极管Q3的发射极接地，该三极管Q3的集电极分别连接至电阻R12与主MCU电路模块。