[实用新型]一种SPM槽及防止SPM槽槽底破裂的结构有效
申请号: | 201920120485.6 | 申请日: | 2019-01-24 |
公开(公告)号: | CN209199890U | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 李志锋;许峯嘉;高飞翔 | 申请(专利权)人: | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海智力专利商标事务所(普通合伙) 31105 | 代理人: | 杜冰云 |
地址: | 200241 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 进液管 槽体 本实用新型 破裂 接头组件 去离子水 槽槽 接头设置 经济损失 均匀接触 均匀喷洒 喷淋结构 人员伤亡 使用寿命 有效解决 受热 不均匀 固定板 浓硫酸 石英槽 破损 散落 流出 | ||
本实用新型公开了一种SPM槽及防止SPM槽槽底破裂的结构,包括接头组件和进液管,接头组件包括第一接头和第二接头,所述进液管与第一接头相连,第一接头固定在第二接头上,第二接头设置在SPM槽的固定板上,第二接头的下部设置有喷淋结构。本实用新型能够使从进液管中流出的去离子水均匀喷洒散落在槽体底部,使去离子水与浓硫酸均匀接触,有效解决了槽体局部受热不均匀,槽体容易破裂的问题,延长了SPM槽的使用寿命,消除了企业因石英槽破损导致的经济损失及可能的人员伤亡隐患。
技术领域
本实用新型涉及湿法清洗技术领域,尤其涉及一种SPM槽及防止SPM槽槽底破裂的结构。
背景技术
在全球半导体产业向大陆转移的过程中,半导体设备国产化具有重要战略意义。随着国家政策与资金的持续支持,国产化设备持续的、高强度的研发投入和核心技术的自主掌握日益提升,其中尤其是湿法槽式清洗设备,凭借着国内资深工程师的多年经验,各种新设计、新创意的设备产品也应需而生。
湿法槽式清洗设备会大量使用强酸强碱等腐蚀性化学药品,其中SPM槽为采用石英材质加工而成的槽体,用来盛放强酸化学液(主要成分是96%浓硫酸)。
SPM槽内的化学液会定期更换,当化学液排完后,需要对槽体进行清洗。然而,由于排放时,槽体内的液体无法完全排放干净,通过进液管向槽体内通入去离子水进行清洗时,由于浓硫酸遇水会产生大量的热,而去离子水落到槽体底部时,其与SPM槽的接触面积较小,SPM槽内的残留化学液会与去离子水瞬间接触,释放出大量的热,使石英槽底部受热不均匀,导致槽体破裂,甚至会造成厂家的经济损失和人员伤亡。
发明内容
有鉴于此,本实用新型提供了一种SPM槽及防止SPM槽槽底破裂的结构,用以解决通过进液管排放到SPM槽的去离子水与槽体的接触面积较小,会使槽体破裂,从而造成经济损失和人员伤亡的问题。
一种防止SPM槽槽底破裂的结构,包括进液管和接头组件,所述接头组件包括第一接头和第二接头,所述进液管与第一接头相连接,第一接头固定在第二接头上,第二接头设置在固定板上,固定板设置在所述SPM槽的顶部,所述第二接头的下部设置有喷淋结构。
优选的,所述喷淋结构与所述SPM槽的槽底之间的距离为220mm-245mm。
优选的,所述喷淋结构为固定在第二接头下部的喷嘴。
优选的,所述第二接头的内部设置有一个锥形台阶孔,所述锥形台阶孔的内壁上设置有内螺纹。
优选的,所述锥形台阶孔内壁上的内螺纹为NPT锥螺纹。
优选的,所述第二接头的上端面与固定板的上端面相齐平。
优选的,所述第一接头采用的是PFA接头。
优选的,所述进液管采用的是PFA管。
一种SPM槽,所述SPM槽的槽体上设置有所述的防止SPM槽槽底破裂的结构。
本实用新型的有益效果是:本实用新型结构简单、使用方便,通过设置接头组件和进液管,将接头组件固定在SPM槽上,将进液管固定在接头组件上,并在接头组件的下部设置喷淋结构,使从进液管中流出的去离子水均匀喷洒散落在槽体底部,使去离子水与浓硫酸均匀接触,SPM槽底部受热均匀,有效解决了槽体局部受热不均匀,槽体容易破裂的问题,延长了SPM槽的使用寿命,消除了企业因石英槽破损导致的经济损失及可能的人员伤亡隐患。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是防止SPM槽槽底破裂的结构的立体结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造