[实用新型]一种SPM槽及防止SPM槽槽底破裂的结构有效
| 申请号： | 201920120485.6 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN209199890U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 李志锋;许峯嘉;高飞翔 | 申请（专利权）人： | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海智力专利商标事务所(普通合伙) 31105 | 代理人： | 杜冰云 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 进液管 槽体 本实用新型 破裂 接头组件 去离子水 槽槽 接头设置 经济损失 均匀接触 均匀喷洒 喷淋结构 人员伤亡 使用寿命 有效解决 受热 不均匀 固定板 浓硫酸 石英槽 破损 散落 流出 | ||
1.一种防止SPM槽槽底破裂的结构，其特征在于，包括进液管（1）和接头组件，所述接头组件包括第一接头（2）和第二接头（3），所述进液管（1）与第一接头（2）相连接，第一接头（2）固定在第二接头（3）上，第二接头（3）设置在固定板（4）上，固定板（4）设置在所述SPM槽（5）的顶部，所述第二接头（3）的下部设置有喷淋结构。
2.根据权利要求1所述的防止SPM槽槽底破裂的结构，其特征在于，所述喷淋结构（6）与所述SPM槽（5）的槽底之间的距离为220mm-245mm。
3.根据权利要求2所述的防止SPM槽槽底破裂的结构，其特征在于，所述喷淋结构（6）为固定在第二接头（3）下部的喷嘴。
4.根据权利要求1所述的防止SPM槽槽底破裂的结构，其特征在于，所述第二接头（3）的内部设置有一个锥形台阶孔（7），所述锥形台阶孔（7）的内壁上设置有内螺纹。
5.根据权利要求4所述的防止SPM槽槽底破裂的结构，其特征在于，所述锥形台阶孔（7）内壁上的内螺纹为NPT锥螺纹。
6.根据权利要求4所述的防止SPM槽槽底破裂的结构，其特征在于，所述第二接头（3）的上端面与固定板（4）的上端面相齐平。
7.根据权利要求1所述的防止SPM槽槽底破裂的结构，其特征在于，所述第一接头（2）采用的是PFA接头。
8.根据权利要求1所述的防止SPM槽槽底破裂的结构，其特征在于，所述进液管（1）采用的是PFA管。
9.一种SPM槽，其特征在于，所述SPM槽的槽体上设置有权利要求1-8中任一项所述的防止SPM槽槽底破裂的结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
