[实用新型]一种半桥模块焊接结构

说明书

本实用新型公开了一种半桥模块焊接结构，具体涉及模块封装领域，包括基板，所述基板四角均设有固定台，所述基板顶部设有顶壳，所述顶壳四角均设有限位槽，所述顶壳中部设有IGBT模块组件，所述基板顶部设有电路板，所述电路板与IGBT模块组件之间设有导电片，所述导电片一侧设有固定架，所述电路板一侧设有正极接线极，所述电路板另一侧设有负极接线极，所述固定台底端外壁设有固定槽，所述限位槽底端设有固定凸条。本实用新型通过设有固定台、顶壳和固定架，顶壳可对电路板进行防护，可提高该装置的使用寿命，采用超声焊接方式，将导电片固定到电路板上，可降低设备和生产成本低，提高产效率。

技术领域

本实用新型涉及模块封装技术领域，更具体地说，本实用涉及一种半桥模块焊接结构。

背景技术

在IGBT模块封装领域，属于微电子行业，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管组合而成的一种器件，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作在几十KHZ频率范围，在现代工业电子技术中广泛应用，如变频器，空调，焊机，光伏，汽车等行业。

专利申请公布号CN208157401U的实用新型专利公开了一种IGBT半桥模块结构，左路DBC上设有左路IGBT芯片和左路FRD芯片，左路IGBT芯片和左路FRD芯片通过锡膏焊接在左路DBC上端，左路IGBT芯片引出有左路G极信号端子，左路FRD芯片引出有左路E极信号端子；右路DBC上设有右路IGBT芯片和右路FRD芯片，右路IGBT芯片和右路FRD芯片通过锡膏焊接在右路DBC上端，右路IGBT芯片与右路FRD芯片连接，右路IGBT芯片引出有右路G极信号端子和右路E极信号端子。

上述专利的IGBT半桥模块结构是采用焊膏工艺(真空回流焊机)，设备和生产成本高，生产合格率低(约85％)，品质无法把控，生产效率无法提高。

实用新型内容

为了克服现有技术的上述缺陷，本实用新型的实施例提供一种半桥模块焊接结构，通过顶壳可对电路板进行防护，可提高该装置的使用寿命，采用超声波机通过超声焊接方式，通过固定架将导电片底端与电路板连接处加强稳定度，可降低设备和生产成本低，提高产效率。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种半桥模块焊接结构，包括基板，所述基板四角均设有固定台，所述基板顶部设有顶壳，所述顶壳四角均设有限位槽，所述顶壳中部设有IGBT模块组件，所述基板顶部设有电路板，所述电路板与IGBT模块组件之间设有导电片，所述导电片一侧设有固定架，所述电路板一侧设有正极接线极，所述电路板另一侧设有负极接线极，所述固定台底端外壁设有固定槽，所述限位槽底端设有固定凸条。

在一个优选地实施方式中，所述导电片、固定架和正极接线极均由铜质材料制成，所述导电片和固定架长度相适配。

在一个优选地实施方式中，所述正极接线极底端设有接电片，所述接电片与电路板之间设有导电线。

在一个优选地实施方式中，所述电路板和固定架与导电片之间、正极接线极底端与接电片之间均通过超声波机进行超声焊接。

在一个优选地实施方式中，所述固定台内部设有固定通孔，所述限位槽与固定台相适配，所述固定凸条与固定槽扣接。

在一个优选地实施方式中，所述IGBT模块组件包括金氧半场效晶体管和PNP双极型晶体管，所述金氧半场效晶体管设置为输入极，所述PNP双极型晶体管设置为输出极。

本实用新型的技术效果和优点：