[实用新型]一种翻转机构有效
申请号: | 201920111147.6 | 申请日: | 2019-01-23 |
公开(公告)号: | CN209496842U | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 陈智伟;池育维;黄琮诗 | 申请(专利权)人: | 福建省福联集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/683 |
代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 徐剑兵;林祥翔 |
地址: | 351117 福建省莆*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基板 翻转机构 晶圆 通孔 本实用新型 圆滑 贯穿 平整 损伤 占用 延伸 | ||
本实用新型公开一种翻转机构,其中一种翻转机构包括基板,基板上下面的一面上设置有平整的膜,基板内设置有多个贯穿基板上下面的通孔,所述通孔延伸并贯穿所述膜。区别于现有技术,上述技术方案由于设置有膜,可以避免坚硬的SiC基板表面直接与晶圆接触,避免损伤晶圆。同时由于膜的设置,可以增加与晶圆的摩擦力,避免晶圆滑落。基板可以采用其他材质,无需占用SiC基板,也降低了成本。
技术领域
本实用新型涉及翻转用的机械结构技术领域,尤其涉及一种翻转机构。
背景技术
晶圆在加工的过程中,要对晶圆进行翻转。现有的翻转采用如图1的方式。翻转前,晶圆1置于SiC(碳化硅)基板2上,而后采用多孔隙的SiC基板3,在晶圆做翻转之前将SiC基板3盖到芯片的正面(front side),双手拿着对两个基板和芯片进行翻转。图中的文字方向倒过来表示晶圆或者基板被翻转。最后放到真空吸台上吸真空,使得基板3将晶圆吸附住,取下原本置于晶圆下方(backside)的SiC基板2,晶圆薄片完成翻转。这样有如下问题:1、SiC是硬质材料,在翻转过程容易对芯片正面(Front side)造成损伤,良率不高。2、使用SiC基板,在翻转过程中容易发生芯片滑动移位,甚至是掉片的风险。3、多孔隙SiC基板造价过高。4、翻转时利用干净SiC基板,是占用上一站制程的器具,影响上一站制程的效率。
实用新型内容
为此,需要提供一种翻转机构,解决翻转机构成本高、容易损伤被翻转物品的问题。
为实现上述目的,发明人提供了一种翻转机构,包括基板,基板上下面的一面上设置有平整的膜,基板内设置有多个贯穿基板上下面的通孔,所述通孔延伸并贯穿所述膜。
进一步地,所述基板的侧面设置有定位缺口。
进一步地,所述膜为蓝膜或者所述基板为圆柱形板。
进一步地,还包括针底板,所述针底板上设置有多个针,所述针与所述通孔的排布方式一致使得针底板上的针可以插入到基板上的通孔中。
进一步地,针底板的外周设置有用于插入基板定位缺口的定位针,定位针的高度高于针底板上针的高度。
本实用新型提供一种翻转机构制作方法,包括如下步骤:
在基板打多个贯穿基板上下面的通孔;
在基板的一面上制作紧贴基板的膜;
用针将通孔上的膜开孔;
打磨膜上的孔的毛边使得膜表面平滑。
进一步地,所述在基板的一面上制作紧贴基板的膜包括步骤:
先将蓝膜与离型膜分离后贴在外框上,进行扩片;
扩片后的蓝膜转到扩张环上;
将基板贴到蓝膜有黏性的一面;
沿基板的外型裁剪蓝膜。
进一步地,所述在基板打多个贯穿基板上下面的通孔包括步骤:
将基板与针底板紧靠着在一起;
在基板打多个贯穿基板上下面的通孔同时在针底板上打上盲孔;
在针底板上的盲孔上插上多个针;
则所述用针将通孔上的膜开孔包括步骤:
用针底板上的针穿过膜和通孔后完成膜开孔。
进一步地,还包括步骤:
在基板上制作定位缺口;
在针底板上制作用于插入定位缺口的定位针,定位针的高度高于针底板上针的高度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建省福联集成电路有限公司,未经福建省福联集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920111147.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造