[实用新型]一种半导体共晶加热板有效
申请号: | 201920094615.3 | 申请日: | 2019-01-21 |
公开(公告)号: | CN209232742U | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 刘汉贵 | 申请(专利权)人: | 中之半导体科技(东莞)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/60 |
代理公司: | 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 | 代理人: | 何新华 |
地址: | 523430 广东省东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热板 共晶 热电偶安装孔 半导体 氮气 凸点 本实用新型 导热效率 开口端 加热 侧面 | ||
本实用新型提供了一种半导体共晶加热板,包括加热板,所述加热板包括正面和反面,所述加热板的正面均匀分布有多个凸点共晶台,每个所述共晶台上下两侧分别设有上氮气孔、下氮气孔,所述加热板内还设有热电偶安装孔,所述热电偶安装孔的开口端位于所述加热板一侧面,所述热电偶安装孔位于所述凸点共晶台下侧。本实用新型的半导体共晶加热板,体积较小,结构较薄,导热效率高。
技术领域
本实用新型涉及半导体加工技术领域,具体涉及一种半导体共晶加热板。
背景技术
在半导体的加工制造过程中,共晶是一个重要的步骤,关系到产品的质量好坏。现有的共晶方式为:筛选配比合适的锡合金焊料;预热基片;焊料涂布;在共晶温度下将芯片和引线焊接到基片上;在加热的条件下将焊接好的产品进行共晶焊接处理。
对于上述工艺,由于共晶过程温度较高,而引线表面镀银,引线在高温条件下容易被氧化。另外,为了严格控制共晶过程的温度,一般都需要用热电偶对共晶位置进行温度探测,常规的探测方式是利用人工的方式直接将热电偶的探头伸入共晶位置,误差较大。
实用新型内容
针对以上问题,本实用新型提供一种半导体共晶加热板,体积较小,结构较薄,导热效率高。
为实现上述目的,本实用新型通过以下技术方案来解决:
一种半导体共晶加热板,包括加热板,所述加热板包括正面和反面,所述加热板的正面均匀分布有多个凸点共晶台,每个所述共晶台上下两侧分别设有上氮气孔、下氮气孔,所述加热板内还设有热电偶安装孔,所述热电偶安装孔的开口端位于所述加热板一侧面,所述热电偶安装孔位于所述凸点共晶台下侧。
具体的,所述加热板上还设有三个固定孔。
具体的,所述固定孔均为椭圆孔。
具体的,所述加热板的反面设有“工”型让位槽,所述上氮气孔、下氮气孔均位于所述“工”型让位槽内。
具体的,所述凸点共晶台的数量为6个。
本实用新型的有益效果是:
第一、本实用新型的半导体共晶加热板,体积较小,结构较薄,导热效率高;
第二、在加热板表面增加了多个均匀分布的凸点共晶台,利用凸点共晶台的凸起结构,将半导体产品的芯片放置于凸点共晶台上,能够避免半导体产品的引脚变形;
第三、在凸点共晶台上下两侧都增加了用于供氮气通过的氮气孔,在焊接引线时,通过持续通入氮气,氮气作为保护气体,可避免二极管引线在高温条件下不被氧化;
第四、热电偶安装孔的位置设置在凸点共晶台下侧,可将热电偶插入热电偶安装孔中,能够精确的探测共晶时的温度。
附图说明
图1为本实用新型的一种半导体共晶加热板的结构示意图一。
图2为本实用新型的一种半导体共晶加热板的结构示意图二。
图3为本实用新型的一种半导体共晶加热板的俯视图。
图4为图3中B-B面的剖视图。
附图标记为:加热板1、凸点共晶台2、上氮气孔3、下氮气孔4、热电偶安装孔5、固定孔6、“工”型让位槽7。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本实用新型作进一步详细的描述,但本实用新型的实施方式不限于此。
如图1-4所示:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造