[实用新型]一种半导体共晶加热板有效
| 申请号： | 201920094615.3 | 申请日： | 2019-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN209232742U | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 刘汉贵 | 申请（专利权）人： | 中之半导体科技（东莞）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/60 |
| 代理公司： | 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 | 代理人： | 何新华 |
| 地址： | 523430 广东省东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 加热板 共晶 热电偶安装孔 半导体 氮气 凸点 本实用新型 导热效率 开口端 加热 侧面 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体共晶加热板，其特征在于，包括加热板(1)，所述加热板(1)包括正面和反面，所述加热板(1)的正面均匀分布有多个凸点共晶台(2)，每个所述共晶台上下两侧分别设有上氮气孔(3)、下氮气孔(4)，所述加热板(1)内还设有热电偶安装孔(5)，所述热电偶安装孔(5)的开口端位于所述加热板(1)一侧面，所述热电偶安装孔(5)位于所述凸点共晶台(2)下侧。
2.根据权利要求1所述的一种半导体共晶加热板，其特征在于，所述加热板(1)上还设有三个固定孔(6)。
3.根据权利要求2所述的一种半导体共晶加热板，其特征在于，所述固定孔(6)均为椭圆孔。
4.根据权利要求1所述的一种半导体共晶加热板，其特征在于，所述加热板(1)的反面设有“工”型让位槽(7)，所述上氮气孔(3)、下氮气孔(4)均位于所述“工”型让位槽(7)内。
5.根据权利要求1所述的一种半导体共晶加热板，其特征在于，所述凸点共晶台(2)的数量为6个。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中之半导体科技（东莞）有限公司，未经中之半导体科技（东莞）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920094615.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种晶圆贴底膜装置
- 下一篇：一种通用下压式烧录装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
