[实用新型]用于基板处理部件的金属陶瓷钎焊接头有效
| 申请号: | 201920085603.4 | 申请日: | 2019-01-18 |
| 公开(公告)号: | CN209312730U | 公开(公告)日: | 2019-08-27 |
| 发明(设计)人: | 戈文达·瑞泽;汤姆·K·乔;哈米德·毛希丁;兰·韦洛 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/00;C23C14/00 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 钎焊接头 基板处理 金属陶瓷 钎焊材料 陶瓷主体 第三层 第一层 本实用新型 应力集中 插入件 共形层 网状物 | ||
本实用新型公开了用于基板处理部件的金属陶瓷钎焊接头,所述钎焊接头包括:陶瓷主体,所述陶瓷主体中有凹槽;共形层,设置在所述凹槽上;杆,有一部分设置在所述凹槽内;第一层,包括设置在所述凹槽内的网状物;第二层,包括接近所述第一层设置的钎焊材料;第三层,包括接近所述第二层设置的插入件;和第四层,包括接近所述第三层设置的钎焊材料。在某些实施方式中,所述钎焊接头具有减少所述接头内的应力集中的特征。
技术领域
本公开内容的实施方式总体涉及用于半导体处理腔室部件中的钎焊接头。
背景技术
对诸如半导体的电子装置的需求持续推动制造工艺的改进。例如,提高制造腔室内使用的部件的可靠性和可用寿命以便减少维护停机并提高处理腔室的利用率是有挑战性的。
钎焊接头通常出现在用于电子器件制造的半导体处理腔室中使用的处理腔室部件中。半导体制造工艺(诸如化学气相沉积(CVD)工艺、物理气相沉积工艺或蚀刻工艺)中的钎焊接头需要频繁维护,以便保持半导体处理腔室的可操作性。随着对处理腔室部件寿命增加的需求持续增长,钎焊接头需要改进以减少因部件故障导致的维护。
因此,需要具有较少部件故障的钎焊接头。
实用新型内容
本公开内容总体涉及用于半导体制造和半导体处理部件中的钎焊接头。在一方面,一种钎焊接头包括在所述钎焊接头的一个或多个部件上的特征,以减小在其中的应力。在另一方面,一种钎焊接头使用多层结构形成。所述多层结构包括网状物、插入件和钎焊材料。所述钎焊接头任选地包括由铬、钨、钛或其氮化物形成的共形层。在另一方面,一种形成钎焊接头的方法包括:使所述钎焊接头的部件脱氧;组装所述接头;加热所述接头以熔融材料;以及冷却所述接头。向所述接头施加受控制的力以防止在加热期间将过多应力引入所述接头中。
在一个实施方式中,一种形成钎焊接头的方法包括:使金属接头部件的表面脱氧。所述金属接头部件和钎焊材料设置在陶瓷主体中的凹槽内。所述金属部件、所述钎焊材料和所述陶瓷主体被加热以形成钎焊陶瓷接头。
在另一个实施方式中,一种钎焊接头包括陶瓷主体,所述陶瓷主体中有凹槽。金属杆、网状物、插入件和钎焊材料设置在所述凹槽内。所述杆和所述插入件进一步包括减少所述接头内的应力集中的特征。
在另外实施方式中,一种钎焊接头包括陶瓷主体,所述陶瓷主体中有凹槽。金属杆、网状物、插入件和钎焊材料设置在所述凹槽内。所述杆和所述插入件进一步包括减少所述接头内的应力集中的特征。包含钨、钛、铬或其氮化物的共形层围绕所述杆、所述插入件、所述网状物和所述钎焊材料设置在所述凹槽内。
在一个实施方式中,提供一种用于基板处理部件的金属陶瓷钎焊接头,所述钎焊接头包括:陶瓷主体,所述陶瓷主体中有凹槽;共形层,设置在所述凹槽上;杆,有一部分设置在所述凹槽内;第一层,包括设置在所述凹槽内的网状物;第二层,包括接近所述第一层设置的钎焊材料;第三层,包括接近所述第二层设置的插入件;和第四层,包括接近所述第三层设置的钎焊材料。
此外,所述钎焊接头可进一步包括耦接到所述网状物的接地连接件。
另外,所述钎焊材料可包括金、钛、钯、银、铜、钨、钴、铬、铁或其组合。
另外,所述杆可包括具有至少一个应力减小特征的主体。所述至少一个应力减小特征可包括倒角、圆角、通道、凹槽或其组合。
此外,所述插入件可包括主体,所述主体中形成有至少一个扩展特征。
另外,所述共形层可包括钨、钛、铬或其组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





