[实用新型]一种晶圆贴底膜装置有效
申请号: | 201920038411.8 | 申请日: | 2019-01-10 |
公开(公告)号: | CN209232741U | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 孟强;陈志远;聂伟;王坤;魏通;徐学飞;孔凡苑;曹文文 | 申请(专利权)人: | 江苏汇成光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 董旭东 |
地址: | 225128 江苏省扬州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 底膜 定位平台 滚轮机构 本实用新型 转动辊组 定位环 可移动 旋转臂 旋转盘 旋转座 种晶 半导体加工领域 均匀间隔分布 左右对称设置 合框机构 环形切割 晶圆吸盘 同轴设置 转动滚轮 自动切割 传动带 机壳体 切割刀 传动 环合 晶圆 两组 外周 吸环 压辊 自动化 | ||
本实用新型公开了半导体加工领域内的一种晶圆贴底膜装置,包括机壳体,定位环合框机构包括定位平台,与定位平台相对应的前后两侧均设有转动辊组,两转动辊组之间纵向设有传动底膜,定位平台上方对应设有可移动的吸环,定位环下侧开设有环形切割槽;所述定位平台下方同轴设置有旋转盘,旋转盘外周均匀间隔分布设有若干旋转臂,旋转臂端部设有旋转座,旋转座上连接有切割刀;所述晶圆合框机构包括两组左右对称设置的滚轮机构,滚轮机构包括两个前后对应设置的转动滚轮,两根传动带之间横向设有压辊,滚轮机构上方对应设置有可移动的晶圆吸盘。本实用新型能够将底膜自动切割成圆形,并将定位环固定在底膜的边缘,自动化程度高。
技术领域
本实用新型属于半导体加工领域,特别涉及一种晶圆贴底膜装置。
背景技术
现有技术中,晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能的集成电路产品。晶圆制造厂把这些多晶硅融解,再在融液里种入籽晶,然后将其慢慢拉出,以形成圆柱状的单晶硅晶棒,由于硅晶棒是由一颗晶面取向确定的籽晶在熔融态的硅原料中逐渐生成。硅晶棒再经过切段,滚磨,切片,倒角,抛光,激光刻,包装后,即成为集成电路工厂的基本原料—硅晶圆片,这就是“晶圆”。
晶圆上可以集成安装若干个IC,而芯片的制造过程可分为晶圆处理工序、晶圆针测工序、构装工序、测试工序等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段工序,而构装工序、测试工序为后段工序。晶圆在加工过程中,需要对晶圆进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀和切割等若干工序,通常采用将晶圆附在底膜上,在晶圆表面覆盖设置有一层保护胶膜,在底膜上表面的边缘固定一个定位环,定位环与晶圆的轴线相重合,定位环作为晶圆的支撑体,便于对晶圆进行加工,定位方便,防止将晶圆破坏,目前市场上缺少将底膜贴合到晶圆上的设备,无法实现自动将晶圆与底膜、定位环相固定。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种晶圆贴底膜装置,能够将底膜自动切割成圆形,并将定位环固定在底膜的边缘,实现将底膜贴合在晶圆下侧,自动化程度高,定位方便。
本实用新型的目的是这样实现的:一种晶圆贴底膜装置,包括机壳体,所述机壳体内设有左右互相对应的晶圆合框机构和定位环合框机构,所述定位环合框机构包括圆形定位平台,与定位平台相对应的前后两侧均设有转动辊组,两转动辊组之间纵向设有具有粘性的传动底膜,传动底膜的宽度大于定位平台的直径,定位平台上方对应设有可移动的吸环,定位环吸附在吸环下方,定位环与定位平台的轴线相重合时,定位环的内径小于定位平台的外径,定位环的外径大于定位平台的外径,定位环下侧开设有环形切割槽;所述定位平台下方同轴设置有旋转盘,旋转盘外周均匀间隔分布设有若干旋转臂,旋转臂端部设有旋转座,旋转座位于定位平台外侧,旋转座上可转动地连接有压轮,压轮轴线沿定位平台径向设置,压轮上侧与定位平台相平齐,旋转座上还固定连接有弧形切割刀,切割刀的上侧刀刃可对应伸入切割槽内,压轮的两端面在轴线方向分别位于切割刀的左右两侧;所述晶圆合框机构包括两组左右对称设置的滚轮机构,所述滚轮机构包括两个前后对应设置的转动滚轮,两个转动滚轮之间纵向设有传动带,两根传动带之间横向设有压辊,压辊左右两端的上侧分别与对应传动带固定连接;所述滚轮机构上方对应设置有可移动的晶圆吸盘,晶圆吸盘与压辊相对应设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造