[实用新型]一种外定位框环贴底膜装置

说明书

本实用新型公开了半导体加工领域内的一种外定位框环贴底膜装置，包括机壳体，与定位平台相对应的前后两侧均设有转动辊组，两转动辊组之间纵向设有具有粘性的传动底膜，定位平台上方对应设有可移动的吸环，外定位框环的内径小于定位平台的外径，外定位框环的外径大于定位平台的外径，外定位框环下侧开设有环形切割槽；所述定位平台下方同轴设置有旋转盘，旋转盘外周均匀间隔分布设有若干旋转臂，旋转臂端部设有旋转座，旋转座上可转动地连接有压轮，压轮上侧与定位平台相平齐，旋转座上还固定连接有弧形切割刀，切割刀的上侧刀刃可对应伸入切割槽内。本实用新型能够将底膜自动切割成圆形，并将外定位框环固定在底膜上表面的边缘。

技术领域

本实用新型属于半导体加工领域，特别涉及一种外定位框环贴底膜装置。

背景技术

现有技术中，晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。晶圆制造厂把这些多晶硅融解，再在融液里种入籽晶，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗晶面取向确定的籽晶在熔融态的硅原料中逐渐生成。硅晶棒再经过切段，滚磨，切片，倒角，抛光，激光刻，包装后，即成为集成电路工厂的基本原料—硅晶圆片，这就是“晶圆”。

晶圆上可以集成安装若干个IC，而芯片的制造过程可分为晶圆处理工序、晶圆针测工序、构装工序、测试工序等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段工序，而构装工序、测试工序为后段工序。晶圆在加工过程中，需要对晶圆进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀和切割等若干工序，通常采用将晶圆附在底膜上，在晶圆表面覆盖设置有一层保护胶膜，在底膜上表面的边缘固定一个外定位框环，外定位框环与晶圆的轴线相重合，外定位框环作为晶圆的支撑体，便于对晶圆进行加工，定位方便，防止将晶圆破坏，目前市场上缺少将底膜贴合到外定位框环的设备，无法实现自动将外定位框环与底膜相固定。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种外定位框环贴底膜装置，能够将底膜自动切割成圆形，并将外定位框环固定在底膜上表面的边缘，实现将底膜贴合在外定位框环下侧，自动化程度高，定位方便。

本实用新型的目的是这样实现的：一种外定位框环贴底膜装置，包括机壳体，所述机壳体内设有圆形定位平台，与定位平台相对应的前后两侧均设有转动辊组，两转动辊组之间纵向设有具有粘性的传动底膜，传动底膜的宽度大于定位平台的直径，定位平台上方对应设有可移动的吸环，外定位框环吸附在吸环下方，外定位框环与定位平台的轴线相重合时，外定位框环的内径小于定位平台的外径，外定位框环的外径大于定位平台的外径，外定位框环下侧开设有环形切割槽；所述定位平台下方同轴设置有旋转盘，旋转盘外周均匀间隔分布设有若干旋转臂，旋转臂端部设有旋转座，旋转座位于定位平台外侧，旋转座上可转动地连接有压轮，压轮轴线沿定位平台径向设置，压轮上侧与定位平台相平齐，旋转座上还固定连接有弧形切割刀，切割刀的上侧刀刃可对应伸入切割槽内，压轮的两端面在轴线方向分别位于切割刀的左右两侧。

本实用新型工作时，前后两侧的转动辊组带动传动底膜移动，吸环将外定位框环吸住，吸环下降将外定位框环压在定位平台上，外定位框环内圈支撑在定位平台上，外定位框环外圈支撑在压轮上侧，切割刀与切割槽相对应设置，旋转盘转动通过旋转臂带动旋转座转动，弧形切割刀伸入切割槽内并将传动底膜切割成圆形，压轮将具有粘性的传达底膜边缘压紧在外定位框环下侧，外定位框环与底膜实现合框固定，然后吸环将贴上底膜后的晶圆移出机壳体。与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于：能够将底膜自动切割成圆形，并将外定位框环固定在底膜上表面的边缘，实现将底膜贴合在外定位框环下侧，然后可以将晶圆与底膜相贴合，对晶圆加工时就更加方便，自动化程度高。