[发明专利]具有叠置单元的半导体结构及制造方法、电子设备

说明书

本发明涉及一种具有叠置单元的半导体结构，包括：保护层；多个单元，在保护层的下表面沿保护层的厚度方向依次叠置，每一个单元包括基底，其中：位于保护层与所述多个单元中的最下层单元之间的至少一个中间单元，中间单元的基底的上表面设置有多个键合结构，每个键合结构从下往上依次包括阻挡层和上金属键合层，阻挡层的材料不同于其所设置的基底的材料以及上金属键合层的材料；中间单元具有穿过其基底的多个中间基底导电通孔，中间基底导电通孔向上穿过对应键合结构的阻挡层而与上金属键合层电连接，所述中间基底导电通孔的下端与在所述中间单元下方的对应单元电连接。本发明还涉及叠置单元的半导体结构的制造方法及具有该结构的电子设备。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法，以及一种具有该半导体结构的电子设备。

背景技术

随着当今无线通讯技术的飞速发展，小型化便携式终端设备的应用也日益广泛，因而对于高性能、小尺寸的射频前端模块和器件的需求也日益迫切。近年来，以例如为薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，简称FBAR)为基础的滤波器、双工器等滤波器件越来越为市场所青睐。一方面是因为其插入损耗低、过渡特性陡峭、选择性高、功率容量高、抗静电放电(ESD)能力强等优异的电学性能，另一方面也是因为其体积小、易于集成的特点所致。

不过，现实中对于滤波器件的尺寸存在进一步减小的需要。

发明内容

为缓解或解决使用现有技术中的上述问题的至少一个方面，提出本发明。

根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种具有叠置单元的半导体结构，包括：

保护层，保护层具有上表面与下表面；

多个单元，在保护层的下表面沿保护层的厚度方向依次叠置，每一个单元包括基底，所述多个单元的最上侧单元的基底与保护层之间限定第一容纳空间，相邻叠置的上单元与下单元的基底之间限定第二容纳空间，至少一个单元的基底设置有芯片，所述芯片位于对应的容纳空间内，

其中：

位于所述保护层与所述多个单元中的最下层单元之间的至少一个中间单元，所述中间单元的基底的上表面设置有多个键合结构，每个键合结构从下往上依次包括阻挡层和上金属键合层，所述阻挡层的材料不同于其所设置的基底的材料以及所述上金属键合层的材料；

所述中间单元具有穿过其基底的多个中间基底导电通孔，所述中间基底导电通孔向上穿过对应键合结构的阻挡层而与上金属键合层电连接，所述中间基底导电通孔的下端与在所述中间单元下方的对应单元电连接。

本发明的实施例还涉及一种具有叠置单元的半导体结构的制造方法，包括步骤：

提供保护层，保护层具有上表面与下表面；

提供多个单元，每一个单元包括基底，所述多个单元包括位于所述保护层与所述多个单元中的最下层单元之间的至少一个中间单元；以及

在保护层的下表面在所述保护层的厚度方向上依次叠置所述多个单元，所述多个单元的最上侧单元的基底与保护层之间限定第一容纳空间，相邻叠置的上单元与下单元的基底之间限定第二容纳空间，至少一个单元的基底设置有芯片，所述芯片位于对应的容纳空间内，

其中：

提供中间单元的步骤包括：

在所述中间单元的基底的上表面设置多个键合结构，所述键合结构从下往上依次包括阻挡层和上键合金属层，所述阻挡层的材料不同于其所设置的基底的材料以及所述上金属键合层的材料；

在所述中间单元的基底的下表面设置多个凸起结构，所述凸起结构经由减薄所述中间单元的基底形成，每一个凸起结构与所述键合结构对应且在中间单元的基底的厚度方向上对齐；