[发明专利]具有叠置单元的半导体结构及制造方法、电子设备

权利要求书

1.一种具有叠置单元的半导体结构，包括：

保护层，保护层具有上表面与下表面；

多个单元，在保护层的下表面沿保护层的厚度方向依次叠置，每一个单元包括基底，所述多个单元的最上侧单元的基底与保护层之间限定第一容纳空间，相邻叠置的上单元与下单元的基底之间限定第二容纳空间，至少一个单元的基底设置有芯片，所述芯片位于对应的容纳空间内，

其中：

位于所述保护层与所述多个单元中的最下层单元之间的至少一个中间单元，所述中间单元的基底的上表面设置有多个键合结构，每个键合结构从下往上依次包括阻挡层和上金属键合层，所述阻挡层的材料不同于其所设置的基底的材料以及所述上金属键合层的材料；

所述中间单元具有穿过其基底的多个中间基底导电通孔，所述中间基底导电通孔向上穿过对应键合结构的阻挡层而与上金属键合层电连接，所述中间基底导电通孔的下端与在所述中间单元下方的对应单元电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：

保护层与单元均构成各自的层，相邻层之间以彼此相对的金属键合层彼此键合的方式叠置；且

所述中间基底导电通孔连接中间基底上下两侧的金属键合层。

3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其中：

每一个中间单元的基底的下表面设置有与所述基底一体形成的向下凸出的多个凸起结构，以及覆盖所述凸起结构的下金属键合层，每个凸起结构与所述键合结构对应且在中间单元的基底的厚度方向上对齐；

所述中间基底导电通孔向下穿过对应凸起结构而与覆盖所述凸起结构的下金属键合层彼此电连接。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中：

所述中间基底导电通孔进一步穿过覆盖所述凸起结构的下金属键合层。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体结构，其中：

所述中间基底导电通孔向上延伸穿过对应上金属键合层而与保护层中设置的对应导电通孔同轴且电连通从而形成一体的导电通孔结构；或者

所述中间基底导电通孔向上延伸穿过对应上金属键合层而与位于中间单元上方的其他中间单元中设置的对应导电通孔同轴且电连通从而形成一体的导电通孔结构；或者

所述中间基底导电通孔向下延伸而与位于中间单元下方的其他中间单元中设置的对应导电通孔同轴且电连通从而形成一体的导电通孔结构；或者

所述中间基底导电通孔向下延伸而与位于中间单元下方的其他中间单元中设置的对应导电通孔同轴且电连通，以及向上延伸而与其他中间器件单元或保护层中设置的对应导电通孔同轴且电连通，从而形成一体的导电通孔结构。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中：

所述半导体结构还包括设置在保护层的上表面而与所述一体的导电通孔结构电连接的导电焊盘。

7.根据权利要求6中任一项所述的半导体结构，其中：

所述一体的导电通孔结构内的导电柱为一体成型导电柱。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中：

所述一体成型导电柱为壁厚从上到下逐渐变细的导电柱。

9.根据权利要求5-8中任一项所述的半导体结构，其中：

所述一体的导电通孔结构包括自保护层的导电通孔向下延伸而与最下层的单元电连接的一体的导电通孔结构。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的半导体结构，其中：

相邻叠置的上单元与下单元的一个单元为包括多个串联谐振器的串联谐振器单元，且相邻叠置的上单元与下单元的另一个单元为包括多个并联谐振器的并联谐振器单元。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其中：

所述串联谐振器的压电层、顶电极、底电极、钝化层的厚度中的至少一个厚度不同于所述并联谐振器的压电层、顶电极、底电极、钝化层的厚度中的对应的厚度。